Experimentos ortogonais de crescimento de filmes GaSb em Substrato de GaAs foram projetados e executados usando um sistema de baixa deposição de vapor químico orgânico de metal (LP-MOCVD). As cristalinidades e microestruturas dos filmes produzidos foram comparativamente analisadas para atingir os parâmetros ótimos de crescimento.

Foi demonstrado que o filme fino GaSb otimizado tem uma largura total estreita na metade do máximo (358 arc seg) da curva de balanço (004), e uma superfície lisa com uma baixa rugosidade quadrática média de cerca de 6 nm, o que é típico no caso dos filmes de cristal único heteroepitaxial. Além disso, estudamos os efeitos da espessura da camada de filme fino GaSb na densidade de deslocamentos por espectros Raman. Acredita-se que nossa pesquisa possa fornecer informações valiosas para a fabricação de filmes de GaSb de alta cristalina e pode promover a probabilidade de integração de dispositivos de infravermelho médio fabricados em dispositivos eletrônicos de alto desempenho.

fonte: iopscience

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