A bolacha epitaxial conduzida a base de gancho pam-xiamen (nitruro de gálio) é para diodos emissores de luz azul e verde de alto brilho (led) e diodos laser (ld).
moq :
1Bolacha epitaxial com base (nitrato de gálio)
como fabricante de wafer conduzido, oferecemos wafer de led para aplicações de LED e díodos laser (ld), como por exemplo, microfone ou ultrafina fina ou pesquisas led uve ou fabricantes led. É por mocvd com pss ou safira plana para luz de fundo lcd, móvel, eletrônico ou uv (ultravioleta), com emissão azul ou verde ou vermelha, incluindo a área ativa ingan / ganha e camadas de algan com barreira gan e / algan para diferentes tamanhos de chip.
gan on al2o3-2 "epi wafer specification (led epitaxial wafer)
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uv led: 365nm, 405nm |
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branco : 445 ~ 460 nm |
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azul : 465 ~ 475 nm |
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verde : 510 ~ 530 nm |
1. tecnologia de crescimento - mocvd
Diâmetro 2.wfer: 50.8mm
3. Material de substrato de assado: substrato de safira padronizado (al2o3)
Tamanho do padrão 4.wafer: 3x2x1.5μm
Estrutura de 5 apartamentos:
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camadas de estrutura |
espessura (μm) |
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p-gan |
0,2 |
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p-algan |
0,03 |
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ingan / gan (ativo área) |
0,2 |
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n-gan |
2,5 |
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ganhou |
3,5 |
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al2o3 (substrato) |
430 |
Parâmetros 6.wire para fazer chips:
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item |
cor |
tamanho do chip |
características |
aparência |
u0026 emsp; |
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pam1023a01 |
azul |
10mil x 23mil |
u0026 emsp; |
u0026 emsp; |
iluminação |
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vf = 2,8 ~ 3,4v |
lcd backlight |
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po = 18 ~ 25mw |
Móvel aparelhos |
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wd = 450 ~ 460nm |
consumidor eletrônico |
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pam454501 |
azul |
45mil x 45mil |
vf = 2,8 ~ 3,4v |
u0026 emsp; |
geral iluminação |
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po = 250 ~ 300mw |
lcd backlight |
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wd = 450 ~ 460nm |
ao ar livre exibição |
* se você precisa saber mais informações detalhadas sobre o chip azul, entre em contato com nossos departamentos de vendas
7.aplicação da bolacha epitaixal led:
iluminação
lcd back light
aparelhos móveis
consumidor eletrônico
As bolachas epitaxiais à base de gancho pam-xiamen (epi wafer) são para diodos emissores de luz azul e verde de alto brilho (led)
Gavel (arsenieto de gálio) com base na bolacha:
No que diz respeito a wafer conduzido por gaas, eles são cultivados pelo mocvd, veja abaixo o comprimento de onda da bolacha led gaas:
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vermelho: 585nm, 615nm, 620 ~ 630nm |
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amarelo: 587 ~ 592nm |
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amarelo verde: 568 ~ 573 |
Para essas especificações detalhadas de waas da Gaas, visite: Gaas epi wafer para led
* estrutura de laser em substrato de gancho (0001) de 2 polegadas ou substrato de safira está disponível.
Os produtos modelo de pam-xiamen consistem em camadas cristalinas de nitreto de gálio (gan), nitreto de alumínio (aln), nitreto de alumínio e gálio (algan) e nitreto de indio e gálio (ingan), que são depositados em substratos de safira, O carboneto de silício ou os produtos de modelo de silicon.pam-xiamen permitem 20-50% de tempos de ciclo de epita8
pam-xiamen estabeleceu a tecnologia de fabricação de bolacha de substrato de gancho independente (galão de nitreto), que é para uhb-led e ld. cultivado por tecnologia de epitaxia em fase de vapor de hidreto (hvpe), nosso substrato de ganhado tem baixa densidade de defeito.
Os transdutores de nitrogênio de gálio (gan) (transistores de alta mobilidade de elétrons) são a próxima geração de tecnologia de transistores de potência rf. Com a tecnologia gan, Pam-xiamen agora oferece alpina epi wafer em safira ou silício e algan / gan em modelo de safira .
O pam-xiamen fornece detectores baseados em czt por tecnologia de detector de estado sólido para raios-x ou raios-gama, que possui melhor resolução de energia em comparação com detector de cristal com cintilação, incluindo detector czt planar, detector czt pixelado, czt co-planar gri
nós fornecemos epitaxia sica customizada de película fina (carboneto de silício) em substratos de 6h ou 4h para o desenvolvimento de dispositivos de carboneto de silício. A bolacha sic epi é usada principalmente para diodos schottky, transistores de efeito de campo semicondutor de óxido de metal, transistores de efeito de campo de junção, transisto8
O telurídeo de cádmio e zinco (cdznte ou czt) é um novo semicondutor, que permite converter a radiação para o elétron efetivamente, é usado principalmente no substrato de epitaxia de filme fino infravermelho, detectores de raios-x e detectores de raios gama, modulação óptica a laser, células solares de desempenho e outros campos de alta tecnologia.8
pam-xiamen oferece fotomassas uma máscara de foto é um revestimento fino de material de máscara suportado por um substrato mais espesso, e o material de máscara absorve a luz em graus variados e pode ser padronizado com um design personalizado. O padrão é usado para modular a luz e transferir o padrão através do processo de fotolitografia, que é o 8
Pwam desenvolve e fabrica substratos semicondutores compostos - cristal de arsenieto de gálio e wafer.we usamos tecnologia avançada de crescimento de cristais, tecnologia de processamento de gradiente vertical (vgf) e wafer de gaas, estabeleceu uma linha de produção de crescimento de cristal, corte, moagem para processamento de polimento e construí8
informações de contato
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