Pwam desenvolve e fabrica substratos semicondutores compostos - cristal de arsenieto de gálio e wafer.we usamos tecnologia avançada de crescimento de cristais, tecnologia de processamento de gradiente vertical (vgf) e wafer de gaas, estabeleceu uma linha de produção de crescimento de cristal, corte, moagem para processamento de polimento e construído uma sala limpa de 100 classes para limpeza e embalagem de bolachas. nossa bolacha de gaas inclui lingotes de 2 ~ 6 polegadas / wafers para aplicações led, ld e microelectrónica. Estamos sempre dedicados a melhorar a qualidade dos materiais atuais atualmente e desenvolver substratos de grande porte.
moq :
1(gaas) wafers de arsenieto de gálio
Pwam desenvolve e fabrica substratos semicondutores compostos - cristal de arsenieto de gálio e wafer.we usamos tecnologia avançada de crescimento de cristais, tecnologia de processamento de gradiente vertical (vgf) e wafer de gaas, estabeleceu uma linha de produção de crescimento de cristal, corte, moagem para processamento de polimento e construído uma sala limpa de 100 classes para limpeza e embalagem de bolachas. nossa bolacha de gaas inclui lingotes de 2 ~ 6 polegadas / wafers para aplicações led, ld e microelectrónica. Estamos sempre dedicados a melhorar a qualidade dos materiais atuais atualmente e desenvolver substratos de grande porte.
(gaas) wafers de arsenieto de gálio para aplicações led
|
item |
especificações |
observações |
|
tipo de condução |
sc / n-type |
sc / p-type com zn dope disponível |
|
método de crescimento |
vgf |
u0026 emsp; |
|
dopante |
silício |
zn disponível |
|
wafer diamter |
2, 3 & 4 polegada |
lingote ou as-cut availalbe |
|
cristal orientação |
(100) 2 / 6 / 15 fora (110) |
de outros desorientação disponível |
|
do |
ej ou nós |
u0026 emsp; |
|
transportadora concentração |
(0,4 ~ 2,5) e18 / cm 3 |
u0026 emsp; |
|
resistividade em rt |
(1,5 ~ 9) e-3 ohm.cm |
u0026 emsp; |
|
mobilidade |
1500 ~ 3000cm 2 /v.sec |
u0026 emsp; |
|
Densidade do poço gravado |
u0026 lt; 5000 / cm 2 |
u0026 emsp; |
|
marcação a laser |
a pedido |
u0026 emsp; |
|
acabamento de superfície |
p / e ou p / p |
u0026 emsp; |
|
espessura |
220 ~ 450um |
u0026 emsp; |
|
lista de epitaxia pronta |
sim |
u0026 emsp; |
|
pacote |
bolacha única recipiente ou cassete |
u0026 emsp; |
(gaas) wafers de arsenieto de gálio para aplicações ld
|
item |
especificações |
observações |
|
tipo de condução |
sc / n-type |
u0026 emsp; |
|
método de crescimento |
vgf |
u0026 emsp; |
|
dopante |
silício |
u0026 emsp; |
|
wafer diamter |
2, 3 & 4 polegada |
lingote ou as-cut acessível |
|
cristal orientação |
(100) 2 / 6 / 15 fora (110) |
de outros desorientação disponível |
|
do |
ej ou nós |
u0026 emsp; |
|
transportadora concentração |
(0,4 ~ 2,5) e18 / cm 3 |
u0026 emsp; |
|
resistividade em rt |
(1,5 ~ 9) e-3 ohm.cm |
u0026 emsp; |
|
mobilidade |
1500 ~ 3000 cm 2 /v.sec |
u0026 emsp; |
|
Densidade do poço gravado |
u0026 lt; 500 / cm 2 |
u0026 emsp; |
|
marcação a laser |
a pedido |
u0026 emsp; |
|
acabamento de superfície |
p / e ou p / p |
u0026 emsp; |
|
espessura |
220 ~ 350um |
u0026 emsp; |
|
lista de epitaxia pronta |
sim |
u0026 emsp; |
|
pacote |
bolacha única recipiente ou cassete |
u0026 emsp; |
(gaas) wafers de arsenieto de gálio, semi-isolantes para aplicações de microelectrónica
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item |
especificações |
observações |
|
tipo de condução |
isolante |
u0026 emsp; |
|
método de crescimento |
vgf |
u0026 emsp; |
|
dopante |
não dopado |
u0026 emsp; |
|
wafer diamter |
2, 3 & 4 polegada |
lingote acessível |
|
cristal orientação |
(100) +/- 0,5 |
u0026 emsp; |
|
do |
ej, nós ou entalhe |
u0026 emsp; |
|
transportadora concentração |
n / D |
u0026 emsp; |
|
resistividade em rt |
u0026 gt; 1e7 ohm.cm |
u0026 emsp; |
|
mobilidade |
u0026 gt; 5000 cm 2 /v.sec |
u0026 emsp; |
|
Densidade do poço gravado |
u0026 lt; 8000 / cm 2 |
u0026 emsp; |
|
marcação a laser |
a pedido |
u0026 emsp; |
|
acabamento de superfície |
p / p |
u0026 emsp; |
|
espessura |
350 ~ 675um |
u0026 emsp; |
|
lista de epitaxia pronta |
sim |
u0026 emsp; |
|
pacote |
bolacha única recipiente ou cassete |
u0026 emsp; |
6 "(gaas) bolachas de arsenieto de gálio, semi-isolantes para aplicações de microeletrônica
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item |
especificações |
observações |
|
tipo de condução |
semi-isolante |
u0026 emsp; |
|
método de crescimento |
vgf |
u0026 emsp; |
|
dopante |
não dopado |
u0026 emsp; |
|
tipo |
n |
u0026 emsp; |
|
diamater (mm) |
150 ± 0,25 |
u0026 emsp; |
|
orientação |
(100) 0 ± 3,0 |
u0026 emsp; |
|
entalhe orientação |
〔 010 〕 ± 2 |
u0026 emsp; |
|
entalhe profunda (mm) |
(1-1.25) mm 89 -95 |
u0026 emsp; |
|
transportadora concentração |
n / D |
u0026 emsp; |
|
resistividade (ohm.cm) |
u003e 1,0 × 10 7 ou 0,8-9 x10 -3 |
u0026 emsp; |
|
mobilidade (cm2 / v.s) |
n / D |
u0026 emsp; |
|
luxação |
n / D |
u0026 emsp; |
|
espessura (μm) |
675 ± 25 |
u0026 emsp; |
|
exclusão de borda para arco e urdidura (mm) |
n / D |
u0026 emsp; |
|
arco (μm) |
n / D |
u0026 emsp; |
|
urdidura (μm) |
≤20,0 |
u0026 emsp; |
|
ttv (μm) |
≤ 10,0 |
u0026 emsp; |
|
Tir (μm) |
≤10,0 |
u0026 emsp; |
|
lfd (μm) |
n / D |
u0026 emsp; |
|
polimento |
p / p epi-ready |
u0026 emsp; |
2 "lt-gaas (arsenieto de galium com baixa temperatura) especificações de bolacha
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item |
especificações |
observações |
|
diamater (mm) |
Ф 50.8mm ± 1mm |
u0026 emsp; |
|
espessura |
1-2um ou 2-3um |
u0026 emsp; |
|
defeito marco densidade |
≤ 5 cm -2 |
u0026 emsp; |
|
resistividade (300k) |
u0026 gt; 10 8 ohm-cm |
u0026 emsp; |
|
transportadora |
u003c 0,5ps |
u0026 emsp; |
|
luxação densidade |
u0026 lt; 1x10 6 cm -2 |
u0026 emsp; |
|
superfície utilizável área |
≥ 80% |
u0026 emsp; |
|
polimento |
lado único polido |
u0026 emsp; |
|
substrato |
substrato gaas |
u0026 emsp; |
* nós também podemos fornecer poli cristal gaas bar, 99,9999% (6n).
estamos fabricando vários tipos de materiais semicondutores de n-tipo de epi wafer iii-v de silicone, baseados em ga, al, in, as e p crescidos por mbe ou mocvd. Nós fornecemos estruturas personalizadas para atender às especificações do cliente. Contacte-nos para mais informações.
O pam-xiamen fornece detectores baseados em czt por tecnologia de detector de estado sólido para raios-x ou raios-gama, que possui melhor resolução de energia em comparação com detector de cristal com cintilação, incluindo detector czt planar, detector czt pixelado, czt co-planar gri
pam-xiamen oferece bolacha / bolacha de teste / bolacha de teste
O telurídeo de cádmio e zinco (cdznte ou czt) é um novo semicondutor, que permite converter a radiação para o elétron efetivamente, é usado principalmente no substrato de epitaxia de filme fino infravermelho, detectores de raios-x e detectores de raios gama, modulação óptica a laser, células solares de desempenho e outros campos de alta tecnologia.8
Feijões polidos fz, principalmente para a produção de retificador de silício (sr), retificador controlado por silício (scr), transistor gigante (gtr), tiristor (gro)
A bolacha epitaxial conduzida a base de gancho pam-xiamen (nitruro de gálio) é para diodos emissores de luz azul e verde de alto brilho (led) e diodos laser (ld).
Os transdutores de nitrogênio de gálio (gan) (transistores de alta mobilidade de elétrons) são a próxima geração de tecnologia de transistores de potência rf. Com a tecnologia gan, Pam-xiamen agora oferece alpina epi wafer em safira ou silício e algan / gan em modelo de safira .
A xiamen powerway oferece arseneto de indio-indio que é cultivado por lec (ccochralski encapsulado líquido) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em diferentes orientações (111) ou (100).
informações de contato
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
