o processo para diminuir a densidade de deslocamento em 3 polegadas dopado bolachas de inp é descrito. o processo de crescimento de cristais é um czochralsky (lec) encapsulado em um líquido convencional, mas escudos térmicos foram adicionados para diminuir o gradiente térmico no cristal em crescimento. A forma desses escudos foi otimizada com a ajuda de simulações numéricas de transferência de cal...
a densidade e intensidade de dispersão de luz dos precipitados de oxigênio silício cz os cristais são medidos por tomografia por dispersão de luz. os dados numéricos esclarecidos através das medições são discutidos em relação à quantidade de oxigênio precipitado. os resultados obtidos aqui correspondem bem à análise teórica de que os precipitados de oxigênio causam a dispersão da luz. as informaçõ...
A irradiação de feixe de íons foi examinada como um método para a criação de pilares semicondutores em nanoescala e estruturas cônicas, mas tem a desvantagem de uma disposição nanoestruturada imprecisa. Nós relatamos um método para criar e modelar nanoescala InAs picos por irradiação de feixe de íons focado (FIB) de ambos os filmes InAs homoepitaxiais e InAs heteroepitaxiais em substratos de InP. ...
Para realizar o carboneto de silício de alto desempenho ( SiC ) dispositivos de potência, contatos ôhmicos de baixa resistência ao SiC tipo-p devem ser desenvolvidos. Para reduzir a resistência do contato ôhmico, é necessário reduzir a altura da barreira nas interfaces metal / SiC ou aumentar a concentração de dopagem nos substratos de SiC. Como a redução da altura da barreira é extremamente difíc...
Neste trabalho, usando um simulador de dispositivo eletro-térmico tridimensional totalmente acoplado, estudamos o mecanismo de degradação de eficiência em alta operação atual em planar G uma Diodos emissores de luz baseados em N (CONDUZIU). Em particular, foi demonstrada a melhoria da degradação da eficiência utilizando substratos GaN condutores mais espessos. Primeiro, verifica-se que o aquecimen...
Nós apresentamos um método sem contato para a determinação do tempo de resposta térmica de sensores de temperatura embutidos em wafers. Neste método, uma lâmpada de flash ilumina um ponto na bolacha em pulsos periódicos; o ponto está no lado oposto do sensor em teste. A constante de tempo térmica do sensor é então obtida a partir da medição de sua resposta temporal, juntamente com um modelo teóric...
Melhoramos a eficiência de antenas fotocondutoras (PCAs) usando GaAs cultivados em baixa temperatura (LT-GaAs). Descobrimos que as propriedades físicas das camadas fotocondutoras de LT-GaAs afetam muito as características de geração e detecção de ondas terahertz (THz). Na geração de THz, a alta mobilidade de portadores fotoexcitados e a presença de alguns clusters de As nos LT-GaAs são dois fatore...
Um método de imagem não destrutivo sem contato para concentração de dopante resolvida espacialmente, [2.2] N d, e resistividade elétrica, ρ, de wafers de silício tipo n e pusando imagens de portadora lock-in em várias intensidades de irradiação de laser. Informações de amplitude e fase de locais de wafer com resistividade conhecida foram empregadas para derivar um fator de calibração para determin...
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