cz-silício
o silício monocristalino cz pesado / levemente dopado é adequado para produzir vários circuitos integrados (ic), diodos, triodes, painel solar de energia verde. Os elementos especiais (como ga, ge) podem ser adicionados para produzir materiais de células solares de alta eficiência, resistentes à radiação e anti-degeneração para componentes especiais.
cz silicone monocristalino
cz-silício
o dopado pesadamente / ligeiramente cz silicone monocristalino é adequado para produzir vários circuitos integrados (ic), diodos, triodes, painel solar de energia verde. Os elementos especiais (como ga, ge) podem ser adicionados para produzir materiais de células solares de alta eficiência, resistentes à radiação e anti-degeneração para componentes especiais.
mcz
O campo magnético é usado no processo czochralski para produzir o cz silicone monocristalino com características de baixo teor de oxigênio e alta uniformidade de resistividade; a mcz silício é adequado para produzir os materiais de silício para vários dispositivos eletrônicos, discretos e baterias solares de baixo oxigênio.
cz cristal fortemente dopado
adotando o dispositivo de doping especial e o processo cz, o dopado fortemente (p, sb, as) cz silício monocristalino com uma baixa resistividade pode ser produzida, é usado principalmente como material de revestimento para bolachas epitaxiais, e é usado para produzir dispositivos eletrônicos especiais para fontes de alimentação de interruptor lsi, diodos schottky e dispositivos eletrônicos de potência de alta freqüência de controle de campo.
u0026 lt; 110 u0026 gt; orientação especial cz-silício
a u0026 lt; 110 u0026 gt; silício monocristalino tem a orientação original u0026 lt; 110 u0026 gt ;, o processamento adicional para ajuste de orientação é desnecessário; a u0026 lt; 110 u0026 gt; silício monocristalino tem as características da estrutura de cristal perfeita e baixa oxigênio e amp; conteúdo de carbono, é um novo material de células solares e pode ser usado o material celular de nova geração.
nossas vantagens de relance
1. Equipamentos avançados de crescimento de epitaxia e equipamentos de teste.
2. Oferece a mais alta qualidade com baixa densidade de defeito e boa rugosidade superficial.
3.strong apoio à equipe de pesquisa e suporte tecnológico para nossos clientes
especificação cz de silício monocristalino
|
tipo |
tipo de condução |
orientação |
diâmetro (mm) |
condutividade (Ω • cm) |
|
cz |
n & p |
u0026 lt; 100 u0026 gt; 110 u0026 gt; u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
1-300 |
|
mcz |
n & p |
u0026 lt; 100 u0026 gt; 110 u0026 gt; u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
1-300 |
|
doping pesado |
n & p |
u0026 lt; 100 u0026 gt; 110 u0026 gt; u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
0.001-1 |
especificação da bolacha
|
u0026 emsp; |
diâmetro (mm) |
espessura (um) |
|
bolacha |
76.2-200 |
≥ 160 |
fz-silício O silício monocristalino com características de baixo teor de material estranho, baixa densidade de defeito e estrutura cristalina perfeita é produzido com o processo de zona flutuante; nenhum material estranho é introduzido durante o crescimento do cristal. a condutividade fz-silício é geralmente acima de 1000 Ω-cm, e o fz-silício é usa8
pam-xiamen oferece bolacha / bolacha de teste / bolacha de teste
A bolacha epitaxial de silício (epi wafer) é uma camada de silício monocristalino depositada em uma única bolacha de silício de cristal (nota: está disponível para cultivar uma camada de camada de silício poli-cristalino em cima de uma bolacha de silicone altamente dopada e cristalina, mas precisa camada tampão (como o óxido ou o poli-si) entre o s8
Feijões polidos fz, principalmente para a produção de retificador de silício (sr), retificador controlado por silício (scr), transistor gigante (gtr), tiristor (gro)
a bolacha de gravura tem as características de baixa rugosidade, bom brilho e custo relativamente baixo, e substitui diretamente a bolacha polida ou bolacha epitaxial que tem um custo relativamente alto para produzir os elementos eletrônicos em alguns campos, para reduzir os custos. há as bolachas de gravura de baixa densidade, baixa reflexividade 8
a bolacha de gravura tem as características de baixa rugosidade, bom brilho e custo relativamente baixo, e substitui diretamente a bolacha polida ou bolacha epitaxial que tem um custo relativamente alto para produzir os elementos eletrônicos em alguns campos, para reduzir os custos. há as bolachas de gravura de baixa densidade, baixa reflexividade 8
xiamen O powerway oferece vazão gap - fosforeto de gálio que são cultivados por lec (líquido encapsulado czochralski) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou (100).
pam-xiamen oferece fotomassas uma máscara de foto é um revestimento fino de material de máscara suportado por um substrato mais espesso, e o material de máscara absorve a luz em graus variados e pode ser padronizado com um design personalizado. O padrão é usado para modular a luz e transferir o padrão através do processo de fotolitografia, que é o 8
informações de contato
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+86-592-5601 404
