A xiamen powerway oferece insb wafer - indium antimonide que são cultivadas por lec (ccochralski encapsulado líquido) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou (100).
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1A xiamen powerway oferece insb wafer - indium antimonide que são cultivadas por lec (ccochralski encapsulado líquido) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou (100).
O antimonido de índio (insb) é um composto cristalino feito a partir dos elementos indium (in) e antimônio (sb). é um material semicondutor de espaço estreito do grupo iii-v usado em detectores infravermelhos, incluindo câmeras de imagem térmica, sistemas de flir, sistemas de orientação de mísseis de transmissão por infravermelho e na astronomia infravermelha. Os detectores de antimônido de índio são sensíveis entre os comprimentos de onda de 1-5 μm. O antimonido de índio era um detector muito comum nos sistemas de imagens térmicas digitalizados mecanicamente, de um único detector. outra aplicação é como uma fonte de radiação terahertz, pois é um forte emissor de foto-demolição.
| especificação da bolacha | |
| item | especificações |
| diâmetro da bolacha | 2 "50,5 ± 0,5 mm 3 "76,2 ± 0,4 mm 4 "1000,0 ± 0,5 mm |
| orientação de cristal | 2 "(111) aorb ± 0.1 ° 3 "(111) aorb ± 0.1 ° 4 "(111) aorb ± 0.1 ° |
| espessura | 2 "625 ± 25um 3 "800or900 ± 25um 4 "1000 ± 25um |
| comprimento plano primário | 2 "16 ± 2mm 3 "22 ± 2mm 4 "32,5 ± 2,5 mm |
| comprimento plano secundário | 2 "8 ± 1mm 3 "11 ± 1mm 4 "18 ± 1mm |
| acabamento de superfície | p / e, p / p |
| pacote | epi-ready, único recipiente de bolacha ou cf cassette |
| Especificação elétrica e de doping | |||||
| tipo de condução | n-tipo | n-tipo | n-tipo | n-tipo | p-type |
| dopante | não dopado | telúrio | telênio baixo | telúrio alto | genmanium |
| e.d.p cm -2 | 2 "3" 4 " ≤ 50 | 2 " ≤ 100 | |||
| mobilidade cm² v -1 s -1 | ≥ 4 * 105 | ≥ 2,5 * 10 4 | ≥ 2,5 * 105 | não especificado | 8000-4000 |
| concentração do transportador cm -3 | 5 * 10 13 -3 * 10 14 | ( 1-7 ) * 10 17 | 4 * 10 14 -2 * 10 15 | ≥ 1 * 10 18 | 5 * 10 14 -3 * 10 15 |
Xiamen Powerway oferece inp wafer - fosfeto de índio que são cultivadas por lec (ccochralski encapsulado líquido) ou vgf (congelamento de gradiente vertical) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou ( 100).
A xiamen powerway oferece arseneto de indio-indio que é cultivado por lec (ccochralski encapsulado líquido) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em diferentes orientações (111) ou (100).
xiamen O powerway oferece vazão gap - fosforeto de gálio que são cultivados por lec (líquido encapsulado czochralski) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou (100).
A linha de energia de xiamen oferece gasferina - antimônio de gálio que são cultivados por lec (ccochralski encapsulado em líquido) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou (100)
Xiamen Powerway oferece inp wafer - fosfeto de índio que são cultivadas por lec (ccochralski encapsulado líquido) ou vgf (congelamento de gradiente vertical) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou ( 100).
Pam oferece materiais semicondutores, bolacha monocristalina (ge) germânio cultivada por vgf / lec
A linha de energia de xiamen oferece gasferina - antimônio de gálio que são cultivados por lec (ccochralski encapsulado em líquido) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou (100)
pam-xiamen oferece wafers de carboneto de silício semicondutor, 6h sic e 4h sic em diferentes graus de qualidade para pesquisador e fabricantes da indústria. Desenvolvemos tecnologia de crescimento de cristal sic e tecnologia de processamento de bolacha de cristal sic, estabeleceu uma linha de produção para o substrato Sic do fabricante, que é apli8
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