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1A linha de energia de xiamen oferece vazão - fosforeto de gálio que são cultivados por lec (ccochralski encapsulado líquido) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou (100).
O fosfeto de gálio (gap), um fosforeto de gálio, é um material semicondutor composto com um intervalo de banda indireta de 2.26ev (300k). O material policristalino tem aparência de pedaços de laranja pálido. As bolachas de monocristalino não dopadas parecem laranjas claras, mas as bolachas fortemente dopadas aparecem mais escuras devido à absorção do transportador livre. é inodoro e insolúvel em água. O sulfureto ou o telúrio são usados como dopantes para produzir semicondutores de tipo n. O zinco é usado como um dopante para o semicondutor de tipo p O fosforeto de glândula tem aplicações em sistemas ópticos. seu índice de refração está entre 4,30 a 262 nm (uv), 3,45 a 550 nm (verde) e 3,19 a 840 nm (ir).
| Especificações de bolacha e substrato | |
| tipo de conducion | n-tipo |
| dopante | dopado |
| diâmetro da bolacha | 5 0,8 +/- 0,5mm |
| orientação de cristal | (111) +/- 0,5 ° |
| orientação plana | 111 |
| comprimento plano | 17,5 +/- 2 mm |
| concentração transportadora | (2-7) x10 ^ 7 / cm3 |
| resistividade em rt | 0,05-0,4ohm.cm |
| mobilidade | u003e 100cm² / v.sec |
| Densidade do poço gravado | u003c 3 * 10 ^ 5 / cm² |
| marcação a laser | a pedido |
| suface fnish | PE |
| espessura | 250 +/- 20um |
| epi pronto | sim |
| pacote | único recipiente de bolacha ou cassete |
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