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1A linha de energia de xiamen oferece vazão - fosforeto de gálio que são cultivados por lec (ccochralski encapsulado líquido) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou (100).
O fosfeto de gálio (gap), um fosforeto de gálio, é um material semicondutor composto com um intervalo de banda indireta de 2.26ev (300k). O material policristalino tem aparência de pedaços de laranja pálido. As bolachas de monocristalino não dopadas parecem laranjas claras, mas as bolachas fortemente dopadas aparecem mais escuras devido à absorção do transportador livre. é inodoro e insolúvel em água. O sulfureto ou o telúrio são usados como dopantes para produzir semicondutores de tipo n. O zinco é usado como um dopante para o semicondutor de tipo p O fosforeto de glândula tem aplicações em sistemas ópticos. seu índice de refração está entre 4,30 a 262 nm (uv), 3,45 a 550 nm (verde) e 3,19 a 840 nm (ir).
| Especificações de bolacha e substrato | |
| tipo de conducion | n-tipo |
| dopante | dopado |
| diâmetro da bolacha | 5 0,8 +/- 0,5mm |
| orientação de cristal | (111) +/- 0,5 ° |
| orientação plana | 111 |
| comprimento plano | 17,5 +/- 2 mm |
| concentração transportadora | (2-7) x10 ^ 7 / cm3 |
| resistividade em rt | 0,05-0,4ohm.cm |
| mobilidade | u003e 100cm² / v.sec |
| Densidade do poço gravado | u003c 3 * 10 ^ 5 / cm² |
| marcação a laser | a pedido |
| suface fnish | PE |
| espessura | 250 +/- 20um |
| epi pronto | sim |
| pacote | único recipiente de bolacha ou cassete |
A xiamen powerway oferece insb wafer - indium antimonide que são cultivadas por lec (ccochralski encapsulado líquido) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou (100).
Xiamen Powerway oferece inp wafer - fosfeto de índio que são cultivadas por lec (ccochralski encapsulado líquido) ou vgf (congelamento de gradiente vertical) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou ( 100).
A xiamen powerway oferece arseneto de indio-indio que é cultivado por lec (ccochralski encapsulado líquido) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em diferentes orientações (111) ou (100).
A linha de energia de xiamen oferece gasferina - antimônio de gálio que são cultivados por lec (ccochralski encapsulado em líquido) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou (100)
Pwam desenvolve e fabrica substratos semicondutores compostos - cristal de arsenieto de gálio e wafer.we usamos tecnologia avançada de crescimento de cristais, tecnologia de processamento de gradiente vertical (vgf) e wafer de gaas, estabeleceu uma linha de produção de crescimento de cristal, corte, moagem para processamento de polimento e construí8
a bolacha de gravura tem as características de baixa rugosidade, bom brilho e custo relativamente baixo, e substitui diretamente a bolacha polida ou bolacha epitaxial que tem um custo relativamente alto para produzir os elementos eletrônicos em alguns campos, para reduzir os custos. há as bolachas de gravura de baixa densidade, baixa reflexividade 8
nós fornecemos epitaxia sica customizada de película fina (carboneto de silício) em substratos de 6h ou 4h para o desenvolvimento de dispositivos de carboneto de silício. A bolacha sic epi é usada principalmente para diodos schottky, transistores de efeito de campo semicondutor de óxido de metal, transistores de efeito de campo de junção, transisto8
Feijões polidos fz, principalmente para a produção de retificador de silício (sr), retificador controlado por silício (scr), transistor gigante (gtr), tiristor (gro)
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