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substrato de gancho autônomo
pam-xiamen estabeleceu a tecnologia de fabricação de bolacha de substrato de gancho independente (galão de nitreto), que é para uhb-led e ld. cultivado por tecnologia de epitaxia em fase de vapor de hidreto (hvpe), nosso substrato de ganhado tem baixa densidade de defeito. -
modelos de gan
Os produtos modelo de pam-xiamen consistem em camadas cristalinas de nitreto de gálio (gan), nitreto de alumínio (aln), nitreto de alumínio e gálio (algan) e nitreto de indio e gálio (ingan), que são depositados em substratos de safira, O carboneto de silício ou os produtos de modelo de silicon.pam-xiamen permitem 20-50% de tempos de ciclo de epitaxia mais curtos e camadas de dispositivos epitaxiais de maior qualidade, com melhor qualidade estrutural e maior condutividade térmica, o que pode melhorar os dispositivos no custo, rendimento e desempenho. -
Bolacha epitaxial com base de gan com base
A bolacha epitaxial conduzida a base de gancho pam-xiamen (nitruro de gálio) é para diodos emissores de luz azul e verde de alto brilho (led) e diodos laser (ld). -
Bolacha Epitaxial Gan Hemt
Os transdutores de nitrogênio de gálio (gan) (transistores de alta mobilidade de elétrons) são a próxima geração de tecnologia de transistores de potência rf. Com a tecnologia gan, Pam-xiamen agora oferece alpina epi wafer em safira ou silício e algan / gan em modelo de safira .
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