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modelos de gan
Os produtos modelo de pam-xiamen consistem em camadas cristalinas de nitreto de gálio (gan), nitreto de alumínio (aln), nitreto de alumínio e gálio (algan) e nitreto de indio e gálio (ingan), que são depositados em substratos de safira, O carboneto de silício ou os produtos de modelo de silicon.pam-xiamen permitem 20-50% de tempos de ciclo de epitaxia mais curtos e camadas de dispositivos epitaxiais de maior qualidade, com melhor qualidade estrutural e maior condutividade térmica, o que pode melhorar os dispositivos no custo, rendimento e desempenho. -
substrato de gancho autônomo
pam-xiamen estabeleceu a tecnologia de fabricação de bolacha de substrato de gancho independente (galão de nitreto), que é para uhb-led e ld. cultivado por tecnologia de epitaxia em fase de vapor de hidreto (hvpe), nosso substrato de ganhado tem baixa densidade de defeito. -
substrato sic
pam-xiamen oferece wafers de carboneto de silício semicondutor, 6h sic e 4h sic em diferentes graus de qualidade para pesquisador e fabricantes da indústria. Desenvolvemos tecnologia de crescimento de cristal sic e tecnologia de processamento de bolacha de cristal sic, estabeleceu uma linha de produção para o substrato Sic do fabricante, que é aplicado no dispositivo gan epitaxy, dispositivos de energia, dispositivo de alta temperatura e dispositivos optoeletrônicos. como uma empresa profissional investida pelos principais fabricantes dos campos avançados e pesquisa de materiais de alta tecnologia e institutos estaduais e laboratório de semicondutores da China, somos dedicados a continuamente melhorar a qualidade dos substratos atuais e desenvolver substratos de grande porte.tags quentes : 4h sic 6h sic bolacha sic bolacha de carboneto de silício substrato de carboneto de silício preço sic wafer
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Bolacha epitaxial com base de gan com base
A bolacha epitaxial conduzida a base de gancho pam-xiamen (nitruro de gálio) é para diodos emissores de luz azul e verde de alto brilho (led) e diodos laser (ld). -
Bolacha Epitaxial Gan Hemt
Os transdutores de nitrogênio de gálio (gan) (transistores de alta mobilidade de elétrons) são a próxima geração de tecnologia de transistores de potência rf. Com a tecnologia gan, Pam-xiamen agora oferece alpina epi wafer em safira ou silício e algan / gan em modelo de safira . -
epitaxia sica
nós fornecemos epitaxia sica customizada de película fina (carboneto de silício) em substratos de 6h ou 4h para o desenvolvimento de dispositivos de carboneto de silício. A bolacha sic epi é usada principalmente para diodos schottky, transistores de efeito de campo semicondutor de óxido de metal, transistores de efeito de campo de junção, transistores de junção bipolar, tiristores, gto e portão isolado bipolar.tags quentes : epitaxia sica deposição de epitaxia bolacha de epitaxia carboneto de silício diodo sic
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aplicação sic
Devido às propriedades físicas e eletrônicas do SIC, o dispositivo à base de carboneto de silício é adequado para dispositivos eletrônicos optoeletrônicos de curto comprimento de onda, alta temperatura, radiação e alta potência / alta freqüência, em comparação com o dispositivo baseado em si e gaas.tags quentes : aplicação sic bolacha bolacha propriedades do carboneto de silício mosfet de carboneto de silício
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monocristalinos e bolachas (germanium)
Pam oferece materiais semicondutores, bolacha monocristalina (ge) germânio cultivada por vgf / lec
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