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  • blue laser

    modelos de gan

    Os produtos modelo de pam-xiamen consistem em camadas cristalinas de nitreto de gálio (gan), nitreto de alumínio (aln), nitreto de alumínio e gálio (algan) e nitreto de indio e gálio (ingan), que são depositados em substratos de safira, O carboneto de silício ou os produtos de modelo de silicon.pam-xiamen permitem 20-50% de tempos de ciclo de epitaxia mais curtos e camadas de dispositivos epitaxiais de maior qualidade, com melhor qualidade estrutural e maior condutividade térmica, o que pode melhorar os dispositivos no custo, rendimento e desempenho.

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  • gan on silicon

    substrato de gancho autônomo

    pam-xiamen estabeleceu a tecnologia de fabricação de bolacha de substrato de gancho independente (galão de nitreto), que é para uhb-led e ld. cultivado por tecnologia de epitaxia em fase de vapor de hidreto (hvpe), nosso substrato de ganhado tem baixa densidade de defeito.

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  • sic crystal

    substrato sic

    pam-xiamen oferece wafers de carboneto de silício semicondutor, 6h sic e 4h sic em diferentes graus de qualidade para pesquisador e fabricantes da indústria. Desenvolvemos tecnologia de crescimento de cristal sic e tecnologia de processamento de bolacha de cristal sic, estabeleceu uma linha de produção para o substrato Sic do fabricante, que é aplicado no dispositivo gan epitaxy, dispositivos de energia, dispositivo de alta temperatura e dispositivos optoeletrônicos. como uma empresa profissional investida pelos principais fabricantes dos campos avançados e pesquisa de materiais de alta tecnologia e institutos estaduais e laboratório de semicondutores da China, somos dedicados a continuamente melhorar a qualidade dos substratos atuais e desenvolver substratos de grande porte.

    tags quentes : 4h sic 6h sic bolacha sic bolacha de carboneto de silício substrato de carboneto de silício preço sic wafer

  • gan expitaxy

    Bolacha epitaxial com base de gan com base

    A bolacha epitaxial conduzida a base de gancho pam-xiamen (nitruro de gálio) é para diodos emissores de luz azul e verde de alto brilho (led) e diodos laser (ld).

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  • gan HEMT epitaxy

    Bolacha Epitaxial Gan Hemt

    Os transdutores de nitrogênio de gálio (gan) (transistores de alta mobilidade de elétrons) são a próxima geração de tecnologia de transistores de potência rf. Com a tecnologia gan, Pam-xiamen agora oferece alpina epi wafer em safira ou silício e algan / gan em modelo de safira .

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  • sic crystal

    epitaxia sica

    nós fornecemos epitaxia sica customizada de película fina (carboneto de silício) em substratos de 6h ou 4h para o desenvolvimento de dispositivos de carboneto de silício. A bolacha sic epi é usada principalmente para diodos schottky, transistores de efeito de campo semicondutor de óxido de metal, transistores de efeito de campo de junção, transistores de junção bipolar, tiristores, gto e portão isolado bipolar.

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  • sic wafer

    aplicação sic

    Devido às propriedades físicas e eletrônicas do SIC, o dispositivo à base de carboneto de silício é adequado para dispositivos eletrônicos optoeletrônicos de curto comprimento de onda, alta temperatura, radiação e alta potência / alta freqüência, em comparação com o dispositivo baseado em si e gaas.

    tags quentes : aplicação sic bolacha bolacha propriedades do carboneto de silício mosfet de carboneto de silício

  • Germanium substrate

    monocristalinos e bolachas (germanium)

    Pam oferece materiais semicondutores, bolacha monocristalina (ge) germânio cultivada por vgf / lec

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