quem nós somos

como o fabricante principal de material composto semicondutor na China. pam-xiamen desenvolve tecnologias avançadas de crescimento de cristais e epitaxia, variam desde a primeira geração de bolacha de germânio, arsenieto de gálio de segunda geração com crescimento de substrato e epitaxia em materiai8
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Após mais de 20 anos de acumulação e desenvolvimento, nossa empresa tem uma vantagem óbvia em inovação tecnológica e pool de talentos. no futuro, precisamos acelerar o ritmo de ação real para oferecer aos clientes melhores produtos e serviços
doctor chan -CEO de xiamen powerway material avançado co., ltd

nossos produtos

laser azul

modelos de gan

Os produtos modelo de pam-xiamen consistem em camadas cristalinas de nitreto de gálio (gan), nitreto de alumínio (aln), nitreto de alumínio e gálio (algan) e nitreto de indio e gálio (ingan), que são depositados em substratos de safira, O carboneto de silício ou os produtos de modelo de silicon.pam-xiamen permitem 20-50% de tempos de ciclo de epita8

Gan on Silicon

substrato de gancho autônomo

pam-xiamen estabeleceu a tecnologia de fabricação de bolacha de substrato de gancho independente (galão de nitreto), que é para uhb-led e ld. cultivado por tecnologia de epitaxia em fase de vapor de hidreto (hvpe), nosso substrato de ganhado tem baixa densidade de defeito.

cristal de gaas

Gaas (arsenieto de gálio) wafers

Pwam desenvolve e fabrica substratos semicondutores compostos - cristal de arsenieto de gálio e wafer.we usamos tecnologia avançada de crescimento de cristais, tecnologia de processamento de gradiente vertical (vgf) e wafer de gaas, estabeleceu uma linha de produção de crescimento de cristal, corte, moagem para processamento de polimento e construí8

cristal sic

epitaxia sica

nós fornecemos epitaxia sica customizada de película fina (carboneto de silício) em substratos de 6h ou 4h para o desenvolvimento de dispositivos de carboneto de silício. A bolacha sic epi é usada principalmente para diodos schottky, transistores de efeito de campo semicondutor de óxido de metal, transistores de efeito de campo de junção, transisto8

cristal sic

substrato sic

pam-xiamen oferece wafers de carboneto de silício semicondutor, 6h sic e 4h sic em diferentes graus de qualidade para pesquisador e fabricantes da indústria. Desenvolvemos tecnologia de crescimento de cristal sic e tecnologia de processamento de bolacha de cristal sic, estabeleceu uma linha de produção para o substrato Sic do fabricante, que é apli8

gan expataxy

Bolacha epitaxial com base de gan com base

A bolacha epitaxial conduzida a base de gancho pam-xiamen (nitruro de gálio) é para diodos emissores de luz azul e verde de alto brilho (led) e diodos laser (ld).

epitaxia ganada

Bolacha Epitaxial Gan Hemt

Os transdutores de nitrogênio de gálio (gan) (transistores de alta mobilidade de elétrons) são a próxima geração de tecnologia de transistores de potência rf. Com a tecnologia gan, Pam-xiamen agora oferece alpina epi wafer em safira ou silício e algan / gan em modelo de safira .

cristal sic

sic wafer reclaim

pam-xiamen é capaz de oferecer os seguintes serviços de wafer de sic reclaim.

Porque escolher-nos

  • Suporte tecnológico gratuito e profissional

    Você pode obter o nosso serviço de tecnologia gratuita do inquérito para depois do serviço, com base no nosso Mais de 25 experiências na linha de semicondutores.

  • bom serviço de vendas

    nosso objetivo é atender a todos os seus requisitos, não importa quão pequenas encomendas e quão difíceis questões podem ser, para manter um crescimento sustentado e lucrativo para cada cliente através de nossos produtos qualificados e atendimento satisfatório.

  • Experiências de mais de 25 anos

    Com mais de 25 + anos experiências no campo composto de materiais semicondutores e negócios de exportação, nossa equipe pode assegurar-lhe que podemos entender seus requisitos e lidar com o seu projeto profissionalmente.

  • qualidade confiável

    A qualidade é nossa primeira prioridade. pam-xiamen foi iso9001: 2008 , possui e compartilha quatro fábricas modernas que podem fornecer uma grande variedade de produtos qualificados para atender às diferentes necessidades de nossos clientes, e cada ordem deve ser tratada através de nosso rigoroso s8

"Nós estamos usando as wafers de epi do powerway para alguns de nossos trabalhos. Estamos muito impressionados com a qualidade do epi"
james s.speck, departamento de materiais university of california
2018-01-25
"queridas equipes pam-xiamen, obrigada pela opinião da sua profissão, o problema foi resolvido, estamos tão felizes em ser seu parceiro"
raman k. Chauhan, serena fotônica
2018-01-25
"Obrigado pela resposta rápida das minhas perguntas e do preço competitivo, é muito útil para nós, vamos pedir novamente em breve"
markus sieger, university of ulm
2018-01-25
"as bolachas de carboneto de silício chegaram hoje e ficamos muito contentes com elas! aprovação para sua equipe de produção!"
dennis, universidade de exeter
2018-01-25

as universidades e empresas mais famosas do mundo confiam em nós

últimas notícias

Structural and optical characterization of GaSb on Si (001) grown by Molecular Beam Epitaxy

2019-04-17

GaSb epilayers were grown on Si (001) using molecular beam epitaxy via AlSb quantum dots as an interfacial misfit (IMF) array between the Si substrates and GaSb epilayers. The effect of IMF array thickness, growth temperature and post annealing on the surface morphology, structural and optical properties of the GaSb on Si were investigated. Among five different IMF array thicknesses (5, 10, 20, 40 and 80 ML) that were used in this study, the best result was obtained from the sample with a 20 ML AlSb IMF array. Additionally, it was found that although the full width at half maximum (FWHM) and threading dislocation (TD) densities obtained from high resolution x-ray diffraction curves can be improved by increasing the growth temperature, a decrease in the photoluminescence (PL) signal and an increase in the surface roughness (RMS) emerged. On the other hand, the results indicate that by applying post annealing the GaSb epilayer crystal quality can be improved in terms of FWHM, TD density,...

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In 2018, China's semiconductor materials market is 8.5 billion US dollars

2019-04-08

As an important part of new materials, semiconductor materials are the top priority of all countries in the world for the development of electronic information industry. It supports the development of localization of electronic information industry and is of great significance to industrial structure upgrading, national economy and national defense construction. In 2018, domestic semiconductor materials, with the joint efforts of all parties, achieved gratifying results in some areas, but the progress in the localization of key materials in the middle and high-end areas was slow, and the breakthroughs were few. The overall situation is not optimistic. China's semiconductor material segmentation progress is not uniform According to WSTS, in 2018, under the guidance of the memory market, the global semiconductor market continued to maintain rapid growth. The annual market size is expected to reach 477.94 billion US dollars, an increase of 15.9%. However, as the problem of the shortage of...

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Tuning the polarity of charge transport in InSb nanowires via heat treatment

2019-04-02

InSb nanowire (NW) arrays were prepared by pulsed electrodeposition combined with a porous template technique. The resulting polycrystalline material has a stoichiometric composition (In:Sb = 1:1) and a high length-to-diameter ratio. Based on a combination of Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) analysis and field-effect measurements, the band gap, the charge carrier polarity, the carrier concentration, the mobility and the effective mass for the InSb NWs was investigated. In this preliminary work, a transition from p-type to n-type charge transport was observed when the InSb NWs were subjected to annealing. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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Advantages, challenges and countermeasures of GaN application in RF field

2019-03-25

At present, gallium nitride (GaN) technology is no longer limited to power applications, and its advantages are also infiltrating into all corners of the RF/microwave industry, and the impact on the RF/microwave industry is growing, and should not be underestimated, because it can be used from space, military radar to cellular communications applications. Although GaN is often highly correlated with power amplifiers (PA), it has other use cases. Since its launch, the development of GaN has been remarkable, and with the advent of the 5G era, it may be more interesting. The role of GaN in radar and space Two variants of GaN technology are GaN-on-silicon (GaN-on-Si) and GaN-on-silicon-carbide(GaN-on-SiC). According to Damian McCann, director of engineering at Microsemi's RF/Microwave Discrete Products Division, GaN-on-SiC has contributed a great deal to space and military radar applications. Today, RF engineers are looking for new applications and solutions to take advantage of GaN-on-SiC...

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The generation of crystal defects in Ge-on-insulator (GOI) layers in the Ge-condensation process

2019-03-18

The formation process of crystal defects in a Ge-on-insulator layer(GOI layer)  fabricated by oxidizing a SiGe-on-insulator (SGOI) layer, known as the Ge-condensation technique, is studied systematically. It is found that the crystal defects in the GOI layer are threading dislocations and microtwins that are formed mainly in the Ge fraction range larger than ~0.5. Also, when the Ge fraction reaches ~1 and the GOI layer is formed, the density of microtwins significantly decreases and their width considerably increases. The relaxation of compressive strain, observed in SGOI and GOI layers, is not attributable to the formation of the microtwins, but to the perfect dislocations that cannot be detected as defects in the lattice image. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com

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Infrared spectroscopy characterization of 3C–SiC epitaxial layers on silicon

2019-03-12

We have measured the transmission Fourier transform infrared spectra of cubic silicon carbide (3C–SiC polytype) epitaxial layer with a 20 µm thickness on a 200 µm thick silicon substrate. Spectra were recorded in the 400–4000 cm−1 wavenumber range. A novel approach of IR spectra computations based on the recursion capability of the C programming language is presented on the basis of polarized light propagation in layered media using generalized Fresnel's equations. The complex refractive indices are the only input parameters. A remarkable agreement is found between all of the experimental SiC and Si spectral features and the calculated spectra. A comprehensive assignment of (i) the two fundamental transverse optical (TO) (790 cm−1) and longitudinal optical (LO) (970 cm−1) phonon modes of 3C–SiC, (ii) with their overtones (1522–1627 cm−1) and (iii) the two-phonon optical-acoustical summation bands (1311–1409 cm−1) is achieved on the basis of available literature data. This approach allo...

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Chemical mechanical polishing and nanomechanics of semiconductor CdZnTe single crystals

2019-03-05

(1 1 1), (1 1 0) Cd0.96Zn0.04Te and (1 1 1) Cd0.9Zn0.1Te semiconductor wafers grown by the modified vertical Bridgman method with dimensions of 10 mm × 10 mm × 2.5 mm were lapped with a 2–5 µm polygonal Al2O3 powder solution, and then chemically mechanically polished by an acid solution having nanoparticles with a diameter of around 5 nm, corresponding to the surface roughnesses Ra of 2.135 nm, 1.968 nm and 1.856 nm. The hardness and elastic modulus of (1 1 1), (1 1 0) Cd0.96Zn0.04Te and (1 1 1) Cd0.9Zn0.1Te single crystals are 1.21 GPa, 42.5 GPa; 1.02 GPa, 44.0 GPa; and 1.19 GPa, 43.4 GPa, respectively. After nanocutting is performed by the Berkovich nanoindenter, the surface roughness Ra of the (1 1 1) Cd0.9Zn0.1Te single crystal attains a 0.215 nm ultra-smooth surface. The hardness and elastic modulus of three kinds of CdZnTe single crystals decrease with the increase of indentation load. When the nanoindenter departs the surface of the crystals, the adherence effects are obvious fo...

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Study on AlGaN/GaN growth on carbonized Si substrate

2019-02-26

AlGaN/GaN films were grown on carbonized Si(111) substrates, which were employed to prevent impurities such as residual Ga atoms from reacting and deteriorating the surface of Si substrates. The cleaning process for the flow channel in metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) could effectively be eliminated by using this carbonized Si substrate, and high-quality AlGaN/GaN films were obtained. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at angel.ye@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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PAM XIAMEN oferece crescimento epitaxial de HEMT à base de AlGaN GaN em wafers de Si

2019-02-18

PAM XIAMEN oferece crescimento epitaxial de AlGaN / GaN baseado HEMT em wafers de Si Recentemente, a PAM XIAMEN, fornecedora líder de wafers epitaxiais de GaN, anunciou que desenvolveu com sucesso "wafers epitaxiais de silício sobre silício de 6 polegadas (GaN-on-Si)" e seu tamanho de 6 polegadas está na produção em massa. PAM XIAMEN é eficaz em semicondutores de terceira geração Em para dispor e aproveitar as oportunidades de desenvolvimento da Composto de bandgap largo materiais semicondutores (ou seja, a terceira geração indústria de materiais semicondutores), o PAM XIAMEN tem investido em pesquisa e desenvolvimento contínuo, os dados mostram que a PAM XIAMEN está envolvida principalmente o projeto, desenvolvimento e produção de materiais semicondutores, especialmente materiais epitaxiais de nitreto de gálio (GaN) , com foco na aplicação de materiais relacionados em aviônica, comunicação 5G, Internet das coisas e outros campos, melhorar e enriquecer a empresa cadeia indust...

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Geração de radiação de frequência-diferença nas faixas de IR distante e média em um laser de dois chips baseado em arseneto de gálio em um substrato de germânio

2019-02-11

A possibilidade de geração eficiente de radiação de diferença de freqüência nas faixas de IR de longe e de meio em um laser de dois chips baseado em arseneto de gálio crescido em um substrato de germânio é considerado. É mostrado que um laser com um guia de onda de 100 μm de largura emitindo 1 W na faixa de IV próximo pode gerar ≈40 μW na freqüência de diferença na região de 5 a 50 THz à temperatura ambiente. Fonte: IOPscience Para mais informações, por favor visite nosso website:www.semiconductorwafers.ne t envie-nos um email paraangel.ye@powerwaywafer.com oupowerwaymaterial@gmail.com

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