O pam-xiamen fornece detectores baseados em czt por tecnologia de detector de estado sólido para raios-x ou raios-gama, que possui melhor resolução de energia em comparação com detector de cristal com cintilação, incluindo detector czt planar, detector czt pixelado, czt co-planar gri
detector czt
Detector planar 1.1czt
especificações
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hv |
+200 v ~ +500 v |
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faixa de energia |
20 kev ~ 200 kev |
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operativo faixa de temperatura |
-20 ℃ ~ 40 ℃ |
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Tamanho ( mm 3 ) |
5 × 5 × 2 |
10 × 10 × 2 |
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energia resolução @ 59,5 kev |
contador grau |
u003e 15% |
u003e 15% |
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discriminador grau |
7% ~ 15% |
8% ~ 15% |
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espectrômetro grau |
u003c 7% |
u003c 8% |
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Nota |
u0026 emsp; |
outros tamanhos podem também estará disponível |
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montagem padrão de 5 x 5 × 2mm 3 czt
montagem padrão de 10 x 10 × 2mm 3 czt
Detector pixelado de 1,2czt
especificações
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aplicação |
espectro , câmera γ |
raio X imagens |
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operativo faixa de temperatura |
-20 ℃ ~ 40 ℃ |
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energia típica resolução |
u003c 6.5%@59.5 kev |
- |
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taxa de contagem |
- |
u003e 2 m cps / pixel |
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matriz típica |
matriz de área detector: 8 × 8 |
matriz de área detector: 8 × 8 |
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matriz linear detector: 1 × 16 |
matriz linear detector: 1 × 16 |
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o máximo dimensões do cristal |
40 × 40 × 5 mm 3 |
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Nota |
outro eletrodo padrão também pode estar disponível |
u0026 emsp; |
Montagem de detector czt padrão de 8 × 8 pixels
Montagem de detector czt padrão de 8 × 8 pixels
1.3czt detectores de grade co-planar
especificações
hv: +1000 v ~ + 3000v
faixa de energia: 50 kev ~ 3 mev
faixa de temperatura operacional: -20 ℃ ~ 40 ℃
Resolução típica de energia: u003c4% @ 662 kev
relação pico-para-compton: 3 ~ 5
tamanho padrão (mm 3): 10 × 10 × 5, 10 × 10 × 10
Detector hemisférico 1,4czt
hv: +200 v ~ +1000 v faixa de temperatura operacional: -20 ℃ ~ 40 ℃
faixa de energia: resolução de energia típica de 50 kev ~ 3 mev: u003c3% @ 662 kev
tamanho padrão (mm 3): 4 × 4 × 2, 5 × 5 × 2,5, 10 × 10 × 5
O telurídeo de cádmio e zinco (cdznte ou czt) é um novo semicondutor, que permite converter a radiação para o elétron efetivamente, é usado principalmente no substrato de epitaxia de filme fino infravermelho, detectores de raios-x e detectores de raios gama, modulação óptica a laser, células solares de desempenho e outros campos de alta tecnologia.8
nós fornecemos epitaxia sica customizada de película fina (carboneto de silício) em substratos de 6h ou 4h para o desenvolvimento de dispositivos de carboneto de silício. A bolacha sic epi é usada principalmente para diodos schottky, transistores de efeito de campo semicondutor de óxido de metal, transistores de efeito de campo de junção, transisto8
pam-xiamen oferece bolacha / bolacha de teste / bolacha de teste
pam-xiamen é capaz de oferecer os seguintes serviços de wafer de sic reclaim.
xiamen O powerway oferece vazão gap - fosforeto de gálio que são cultivados por lec (líquido encapsulado czochralski) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou (100).
O telurídeo de cádmio e zinco (cdznte ou czt) é um novo semicondutor, que permite converter a radiação para o elétron efetivamente, é usado principalmente no substrato de epitaxia de filme fino infravermelho, detectores de raios-x e detectores de raios gama, modulação óptica a laser, células solares de desempenho e outros campos de alta tecnologia.8
pam-xiamen estabeleceu a tecnologia de fabricação de bolacha de substrato de gancho independente (galão de nitreto), que é para uhb-led e ld. cultivado por tecnologia de epitaxia em fase de vapor de hidreto (hvpe), nosso substrato de ganhado tem baixa densidade de defeito.
A xiamen powerway oferece insb wafer - indium antimonide que são cultivadas por lec (ccochralski encapsulado líquido) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou (100).
informações de contato
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
