A linha de energia de xiamen oferece gasferina - antimônio de gálio que são cultivados por lec (ccochralski encapsulado em líquido) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou (100)
O xiamen powerway oferece gasbufera - antimônido de gálio que são cultivados por lec (ccochralski encapsulado líquido) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em diferentes orientações (111) ou (100).
O antimonido de gálio (gasb) é um composto semicondutor de gálio e antimônio da família iii-v. tem uma constante de rede de cerca de 0,61 nm. O gás pode ser usado para detectores infravermelhos leds infravermelhos e lasers e transistores, e sistemas termopotovoltaicos.
especificação da bolacha
item
especificações
diâmetro da bolacha
2 "50,5 ± 0,5 mm
3 "76,2 ± 0,4 mm
4 "1000,0 ± 0,5 mm
orientação de cristal
(100) ± 0,1 °
espessura
2 "500 ± 25um
3 "625 ± 25um
4 "1000 ± 25um
comprimento plano primário
2 "16 ± 2mm
3 "22 ± 2mm
4 "32,5 ± 2,5 mm
comprimento plano secundário
2 "8 ± 1mm
3 "11 ± 1mm
4 "18 ± 1mm
acabamento de superfície
p / e, p / p
pacote
epi-ready, único recipiente de bolacha ou cf cassette
| Especificação elétrica e de doping | |||||
| tipo de condução | p-type | p-type | n-tipo | n-tipo | n-tipo |
| dopante | não dopado | zinco | telúrio | telênio baixo | telúrio alto |
| e.d.p cm -2 | 2 " ≤ 2000 3 " ≤ 5000 |
2 " ≤ 2000 3 " ≤ 5000 |
2 ", 3" ≤ 1000 4 " ≤ 2000 |
2 " ≤ 1000 3 ", 4" ≤ 2000 |
2, "3", 4 " ≤ 500 |
| mobilidade cm² v -1 s -1 | ≥500 | 450-200 | 3500-2000 | 3500-2000 | 3500-2000 |
| concentração do transportador cm -3 | ≤ 2 * 10 17 | ≥ 1 * 10 18 | ( 91-900 ) * 10 17 | ≤ 2 * 10 17 |
≥ 5 * 10 17 |
A xiamen powerway oferece insb wafer - indium antimonide que são cultivadas por lec (ccochralski encapsulado líquido) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou (100).
Xiamen Powerway oferece inp wafer - fosfeto de índio que são cultivadas por lec (ccochralski encapsulado líquido) ou vgf (congelamento de gradiente vertical) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou ( 100).
A xiamen powerway oferece arseneto de indio-indio que é cultivado por lec (ccochralski encapsulado líquido) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em diferentes orientações (111) ou (100).
xiamen O powerway oferece vazão gap - fosforeto de gálio que são cultivados por lec (líquido encapsulado czochralski) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou (100).
O telurídeo de cádmio e zinco (cdznte ou czt) é um novo semicondutor, que permite converter a radiação para o elétron efetivamente, é usado principalmente no substrato de epitaxia de filme fino infravermelho, detectores de raios-x e detectores de raios gama, modulação óptica a laser, células solares de desempenho e outros campos de alta tecnologia.8
Feijões polidos fz, principalmente para a produção de retificador de silício (sr), retificador controlado por silício (scr), transistor gigante (gtr), tiristor (gro)
pam-xiamen oferece fotomassas uma máscara de foto é um revestimento fino de material de máscara suportado por um substrato mais espesso, e o material de máscara absorve a luz em graus variados e pode ser padronizado com um design personalizado. O padrão é usado para modular a luz e transferir o padrão através do processo de fotolitografia, que é o 8
pam-xiamen estabeleceu a tecnologia de fabricação de bolacha de substrato de gancho independente (galão de nitreto), que é para uhb-led e ld. cultivado por tecnologia de epitaxia em fase de vapor de hidreto (hvpe), nosso substrato de ganhado tem baixa densidade de defeito.
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