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substrato de gancho autônomo
pam-xiamen estabeleceu a tecnologia de fabricação de bolacha de substrato de gancho independente (galão de nitreto), que é para uhb-led e ld. cultivado por tecnologia de epitaxia em fase de vapor de hidreto (hvpe), nosso substrato de ganhado tem baixa densidade de defeito. -
substrato sic
pam-xiamen oferece wafers de carboneto de silício semicondutor, 6h sic e 4h sic em diferentes graus de qualidade para pesquisador e fabricantes da indústria. Desenvolvemos tecnologia de crescimento de cristal sic e tecnologia de processamento de bolacha de cristal sic, estabeleceu uma linha de produção para o substrato Sic do fabricante, que é aplicado no dispositivo gan epitaxy, dispositivos de energia, dispositivo de alta temperatura e dispositivos optoeletrônicos. como uma empresa profissional investida pelos principais fabricantes dos campos avançados e pesquisa de materiais de alta tecnologia e institutos estaduais e laboratório de semicondutores da China, somos dedicados a continuamente melhorar a qualidade dos substratos atuais e desenvolver substratos de grande porte.tags quentes : 4h sic 6h sic bolacha sic bolacha de carboneto de silício substrato de carboneto de silício preço sic wafer
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epitaxia sica
nós fornecemos epitaxia sica customizada de película fina (carboneto de silício) em substratos de 6h ou 4h para o desenvolvimento de dispositivos de carboneto de silício. A bolacha sic epi é usada principalmente para diodos schottky, transistores de efeito de campo semicondutor de óxido de metal, transistores de efeito de campo de junção, transistores de junção bipolar, tiristores, gto e portão isolado bipolar.tags quentes : epitaxia sica deposição de epitaxia bolacha de epitaxia carboneto de silício diodo sic
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aplicação sic
Devido às propriedades físicas e eletrônicas do SIC, o dispositivo à base de carboneto de silício é adequado para dispositivos eletrônicos optoeletrônicos de curto comprimento de onda, alta temperatura, radiação e alta potência / alta freqüência, em comparação com o dispositivo baseado em si e gaas.tags quentes : aplicação sic bolacha bolacha propriedades do carboneto de silício mosfet de carboneto de silício
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silício monocristalino de zona flutuante
fz-silício O silício monocristalino com características de baixo teor de material estranho, baixa densidade de defeito e estrutura cristalina perfeita é produzido com o processo de zona flutuante; nenhum material estranho é introduzido durante o crescimento do cristal. a condutividade fz-silício é geralmente acima de 1000 Ω-cm, e o fz-silício é usado principalmente para produzir os elementos de alta tensão inversa e dispositivos fotoelétricos.tags quentes : zona de flutuação fz silício processo de zona de flutuação lingote de silício bolacha de sílica fabricantes de lingotes de silício
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testar wafer wafer
pam-xiamen oferece bolacha / bolacha de teste / bolacha de testetags quentes : testar a bolacha monitor de bolacha bolacha fofa substrato de silício espessura de bolacha de silício
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cz silicone monocristalino
cz-silício o silício monocristalino cz pesado / levemente dopado é adequado para produzir vários circuitos integrados (ic), diodos, triodes, painel solar de energia verde. Os elementos especiais (como ga, ge) podem ser adicionados para produzir materiais de células solares de alta eficiência, resistentes à radiação e anti-degeneração para componentes especiais.tags quentes : preço da bolacha de silício batatas fritas wafer Wafers de silício para venda preço do bolacha
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bolacha de silício epitaxial
A bolacha epitaxial de silício (epi wafer) é uma camada de silício monocristalino depositada em uma única bolacha de silício de cristal (nota: está disponível para cultivar uma camada de camada de silício poli-cristalino em cima de uma bolacha de silicone altamente dopada e cristalina, mas precisa camada tampão (como o óxido ou o poli-si) entre o substrato em massa e a camada epitaxial superior)tags quentes : bolacha de silicone epi bolacha de silício epitaxial Fabricantes de bolachas epitaxiais fabricante de wafer epi silício em isolador
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