a condição de crescimento de dopado com gan camada de cobertura e seu efeito na formação de contato ôhmico do tipo p foram investigados.

confirma-se que a dopagem excessiva em mg pode efetivamente aumentar o contato ni / au com gan após recozimento a 550 ° c. quando a taxa de fluxo entre mg e ga fontes de gás é de 6,4% e a largura da camada é de 25 nm, a camada de cobertura cultivada a 850 ° c exibe as melhores propriedades de contato ôhmico com relação à resistividade de contato específica (ρc). esta temperatura é muito menor do que a temperatura de crescimento convencional de gan de dopada em mg, sugerindo que a faixa induzida por defeito de nível profundo pode desempenhar um papel importante na condução da camada de cobertura.

fonte: iopscience

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