Uma heterojunção inas / si formada por um método de colagem com bolacha úmida com temperatura de anelamento de 350 ° C foi investigada por microscopia eletrônica de transmissão (TEM). Inas e si foram observados para serem uniformemente ligados sem quaisquer espaços vazios em um campo de visão de 2 µm de comprimento em uma imagem de campo claro. uma imagem de alta resolução revelou que, entre oinase as imagens da rede si, existia uma camada de transição com uma estrutura semelhante a amorfa de 10-12 nm de espessura, que tinha o papel de combinar atomicamente os dois cristais. a camada de transição foi separada em duas camadas de brilho diferentes em uma imagem de digitalização de campo escuro anular de alto ângulo. as distribuições em, como,Si, e os átomos na vizinhança da heterointerface foram examinados por espectroscopia de dispersão de raios X por energia. as quantidades de átomos em, as, e si mudaram gradualmente dentro de uma camada intermediária de 20 nm de espessura incluindo a camada de transição. átomos acumulados foram detectados na camada de transição.

fonte: iopscience

Para mais informações, por favor visite nosso website:www.semiconductorwafers.net,

envie-nos um e-mail emangel.ye@powerwaywafer.comoupowerwaymaterial@gmail.com