Os monocristais GaSb dopados com te são estudados medindo o efeito Hall, os espectros de transmissão infravermelha (IV) e de fotoluminescência (PL). Verifica-se que o GaSb n-type com transmitância IR pode ser obtido em até 60% pelo controle crítico da concentração Te-doping e compensação elétrica. A concentração dos defeitos associados ao receptor nativo é aparentemente baixa no GaSb em comparação com aqueles em GaSb dopado e fortemente dopado com Te. O mecanismo para a alta transmitância IR é analisado considerando o processo de absorção óptica envolvido pelo defeito.
Fonte: IOPscience
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