um algan micromachinado / transistor de alta mobilidade eletrónica gan ( hemt ) em um substrato com camadas de dissipação de calor de carbono / titânio (dlc / ti) foi investigado. condutividade térmica superior e coeficiente de expansão térmica semelhante ao gan permitiu que o dlc / ti dissipasse eficientemente o calor da haste de potência através do substrato Si através de furos. Esta haste com d...
www.semiconductorwafers.net A tecnologia de colagem direta de wafer é capaz de integrar duas wafers suaves e, portanto, pode ser usada na fabricação de células solares de multijunções iii – v com incompatibilidade de treliça. a fim de interconectar-se monoliticamente entre as subcélulas gainp / gaas e ingaasp / ingaas, a heterojunção gaas / inp ligada deve ser uma junção ôhmica altamente condutora...
investigamos os níveis de energia de transição dos defeitos de vacância em nitreto de gálio por meio de uma abordagem de teoria do funcional de densidade híbrida (dft). Nós mostramos que, em contraste com as previsões de um estudo recente sobre o nível de dft puramente local, a inclusão de triagem de troca estabiliza o estado de carga triplamente positiva da vacância de nitrogênio para energias fe...
apresentamos um novo processo para integrar germânio com bolachas de silício sobre isolante (soi). o germânio é implantado em soi que é então oxidado, aprisionando o germânio entre as duas camadas de óxido (o óxido crescido e o óxido enterrado). com o controle cuidadoso das condições de implantação e oxidação, este processo cria uma camada fina (experimentos atuais indicam até 20-30nm) de germânio...
xiamen powerway avançado material co., ltd., um dos principais fornecedores de epi serviço para gaas laser baseado wafers crescimento e outros produtos e serviços relacionados anunciou a nova disponibilidade de tamanho 3 \"é a produção em massa em 2017. este novo produto representa um natural adição à Pam-Xiamen linha de produtos. dr. Shaka, disse: \"Temos o prazer de oferecer aos nossos clientes ...
xiamen powerway avançado materialco., ltd., um dos principais fornecedores de estrutura epitaxial diodo laser e outrosprodutos e serviços relacionados anunciaram a nova disponibilidade do tamanho 3 ” está em produção em massa em 2017. este novo produto representa um naturaladição à Pam-Xiamen linha de produtos. dr. Shaka, disse: \"estamos satisfeitos poroferecer estrutura epitaxial diodo lase...
As matrizes de panquecas de bem-ordenados pb (zr0.2ti0.8) o3 nanodiscs e nanorings foram fabricados em toda a área (10 mm × 10 mm) do eletrodo inferior srruo3 em um substrato monocristalino srtio3 usando a litografia de interferência a laser (lil) processo combinado com deposição a laser pulsada. a forma e o tamanho das nanoestruturas foram controlados pela quantidade de pzt depositada através dos...
Neste artigo, analisamos os desenvolvimentos da produção de bolachas não-polares (isto é, m-plano e a-plano) e semi-polares (isto é, (20,1)) por meio do método amototermico. O método de crescimento e os resultados de polimento são descritos. Conseguimos produzir bolachas não-semi-polares de 26 mm x 26 mm. estas bolachas possuem excelentes propriedades estruturais e ópticas, com densidade de desloc...
pam-xiamen desenvolve lingotes de cristal único de antimonido de gálio (gasb) de alta qualidade. Nós tambem rodamos as bolachas de gás e de corte cortadas, colhidas e polidas e podemos fornecer uma qualidade de superfície epi-ready. o cristal de gás é um composto formado por 6n elemento puro de ga e sb e é cultivado por meio de método czochralski (lec) encapsulado líquido com epd \u0026 lt; 1000 c...
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