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propriedades elétricas e estruturais de filmes gan e diodos emissores de luz gan / ingan crescidos em modelos porosos fabricados por condicionamento eletroquímico e fotoeletroquímico combinado

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propriedades elétricas e estruturais de filmes gan e diodos emissores de luz gan / ingan crescidos em modelos porosos fabricados por condicionamento eletroquímico e fotoeletroquímico combinado

2017-11-03

Destaques

• modelo poroso foi preparado pelo esquema eletroquímico e fotoeletroquímico.

• A estrutura inorgânica de diodos emissores de luz (led) estava coberta pelo modelo gravado.

• filmes crescentes e leds mostraram menor tensão e menor densidade de defeitos superficiais.

• as estruturas conduzidas crescidas mostraram maior eficiência de eletroluminescência.


modelos porosos foram preparados por gravura eletroquímica combinada (ece) e fotoeletroquímica gravada (pece), seguida pelo crescimento excessivo de filmes gan e estruturas de diodos emissores de luz (mqw) de poços quânticos ingan / gan múltiplos. propriedades estruturais, luminescentes e elétricas das estruturas guiadas foram estudadas e comparadas com as propriedades de estruturas cultivadas sob as mesmas condições em matrizes não submetidas ao tratamento de amostras. O supercrescimento de estruturas conduzidas nos moldes ece-pece reduziu a deformação, rachaduras e micropipetas, levando ao aumento da eficiência quântica interna e da eficiência da extração de luz. esse aumento de luminescência foi observado em filmes gangrenados, mas foi mais pronunciado para estruturas conduzidas ingan-gan devido à supressão do campo de polarização piezelétrico em qws.

palavras-chave

gravação eletroquímica; gravação fotoeletroquimica; gan porosa; díodos emissores de luz


fonte: sciencedirect


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