Neste estudo, uma camada de InP foi transferida para um substrato de Sirevestido com um óxido térmico, através de um processo que combina o processo de corte iônico e ataque químico seletivo. Comparado com o corte iônico convencional de wafers de InP a granel, este esquema de transferência de camada não apenas aproveita o corte iônico ao salvar os substratos restantes para reutilização, mas também aproveita a corrosão seletiva para melhorar as condições da superfície transferida sem usar produtos químicos e mecânicos polimento. Uma heteroestrutura InP/InGaAs/InP inicialmente cultivada por MOCVD foi implantada com íons H+. A heteroestrutura implantada foi ligada a um wafer de Si revestido com uma camada térmica de SiO2. Após o recozimento subsequente, a estrutura ligada esfoliada na profundidade em torno da faixa projetada de hidrogênio localizada no substrato InP. A microscopia de força atômica mostrou que, após ataques químicos seletivos na estrutura conforme transferida,
Fonte: IOPscience
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