nós podemos oferecer 2 \"gainp / inp epi wafer como segue:
2 ”camada gaini epi: espessura: 1um, ga: in = 1: 1, camada epi: 1-3um,
substrato de inp: tamanho de 2 ”, orientação (100) ou (110), tipo n ou semi-isolante, espessura: 300-500um, lado único polido.
fosfeto de gálio e índio (gainp), é um semicondutor composto de índio, gálio e fósforo. Ele é usado em eletrônica de alta potência e alta freqüência por causa de sua velocidade superior de elétrons em relação aos semicondutores mais comuns de silício e arseneto de gálio.
é usado principalmente em estrutura hemt, estruturas de hbt ou estrutura de mesfet, um material epitaxial de ganho de bandgap alto crescido no inp para aumentar a altura da barreira schottky do mesfet de inp com os materiais schottky gate (au e pt2si): o gainp / inp pseudomórfico O mesfet com um au gate tem uma altura de barreira schottky de 0,54 ev, e a corrente de fuga reversa do dispositivo é 10 -2 vezes mais baixa que a do mesfet de inp convencional. a transcondutância extrínseca e intrínseca do mesfet pseudomórfico são 66,7 e 104,2 ms / mm, respectivamente, para o mesfet gainp / inp de comprimento de porta de 5 μm
O gainp também é usado para a fabricação de células solares de alta eficiência usadas para aplicações espaciais. ga0.5in0.5p é usado como junção de alta energia em células fotovoltaicas de dupla e tripla junção cultivadas em gaas. nos últimos anos, mostraram células solares em tandem gainp / gaas com eficiências de am0 (incidência solar em espaço = 1,35 kw / m2) acima de 25%. uma liga diferente de gainp, treliça emparelhada com as gainas subjacentes, é utilizada como junção de alta energia de células fotovoltaicas de junção tripla gainp / gainas / ge.em combinação com alumínio (liga algainp) para produzir leds de alto brilho com laranja-vermelho, laranja, cores amarelas e verdes.
fonte: semiconductorwafers.net
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