No presente trabalho, matrizes de deslocamento são investigadas em wafers de silício crescidos na zona de flutuação (fz) pela técnica de mapeamento da corrente induzida por feixe de luz (lbic) em diferentes comprimentos de onda e por espectroscopia transiente de nível profundo (dlts). a técnica lbica parece ser capaz de reconhecer e detectar essas matrizes e avaliar sua força de recombinação. em fendas deslocadas fz, uma difusão de fósforo atenua fortemente o contraste lbico das luxações, dependendo da duração e temperatura do tratamento. atividade elétrica à temperatura ambiente dos defeitos, ainda fisicamente presentes, parece desaparecer. simultaneamente, a intensidade de pico dos espectros de dlts relacionados a deslocamentos é reduzida e essa evolução depende da temperatura e duração da difusão do fósforo.
palavras-chave
zona flutuante; força de recombinação; Wafers de silício
fonte: sciencedirect
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