O gerenciamento térmico de lasers semicondutores de alta potência é de grande importância, já que a potência de saída e a qualidade do feixe são afetadas pelo aumento de temperatura da região de ganho. Simulações térmicas de um laser emissor de superfície de cavidades externas verticais por um método de elementos finitos mostraram que a camada de solda entre a película fina semicondutora que consiste na região de ganho e dissipador de calor tem uma forte influência na resistência térmica e na ligação direta. preferiu obter uma dissipação de calor eficaz.

Para realizar os lasers semicondutores de película fina diretamente ligados em um substrato de alta condutividade térmica, foi aplicada uma ligação ativada por superfície usando um feixe de átomo rápido de argônio na ligação do arseneto de gálio ( Wafer de GaAs ) e carboneto de silício bolacha (Bolachas de SiC) . Os GaAs ou SiC estrutura foi demonstrada na escala wafer (2 polegadas de diâmetro) à temperatura ambiente. As observações transversais da microscopia eletrônica de transmissão mostraram que as interfaces de ligação livre de vazios foram alcançadas.

fonte: iopscience

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