algainp led chip sepcification
bolacha conduzida alaranjada substrato:
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
p + gaas
\u0026 emsp;
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p-gap
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
p-algainp
\u0026 emsp;
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\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
mqw
\u0026 emsp;
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\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
n-algainp
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
dbr n-algas / alas
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
amortecedor
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
substrato gaas
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
·lasca sepcification (base em chips 7mil * 7mil)
parâmetro
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
tamanho do chip
7mil (± 1mil) * 7mil (± 1mil)
espessura
7mil (± 1mil)
eletrodo p
u / l
\u0026 emsp;
n eletrodo
au
\u0026 emsp;
estrutura
tal como direito mostrado
Ótico-elétrico personagens
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
\u0026 emsp;
parâmetro
condição
min.
typ
max.
unidade
tensão para a frente
Eu f = 10μa
1,35
┄
┄
v
voltagem inversa
Eu f = 20ma
┄
┄
2,2
v
corrente inversa
v = 10v
┄
┄
2
μm
Comprimento de onda
Eu f = 20ma
565
┄
575
nm
meia largura de onda
Eu f = 20ma
┄
10
┄
nm
·intensidade da luz personagens
\u0026 emsp;
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\u0026 emsp;
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\u0026 emsp;
código de brilho
la
Libra
lc
ld
le
Se
lg
lh
iv (mcd)
10—15
15-20
20-25
25-30
30 a 35
35-40
40 a 50
50-60
fonte: semiconductorwafers.net
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