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alginp verde-amarelo / gaas levou wafer: 565-575nm

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alginp verde-amarelo / gaas levou wafer: 565-575nm

2017-08-03

algainp led chip sepcification


bolacha conduzida alaranjada  substrato:

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

p + gaas

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

p-gap

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

p-algainp

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

mqw

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

n-algainp

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

dbr  n-algas / alas

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

amortecedor

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

substrato gaas

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;




·lasca  sepcification (base em chips 7mil * 7mil)

parâmetro

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

tamanho do chip

7mil (± 1mil) * 7mil (± 1mil)

espessura

7mil (± 1mil)

eletrodo p

u / l

\u0026 emsp;

n eletrodo

au

\u0026 emsp;

estrutura

tal como  direito mostrado


Ótico-elétrico  personagens

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

parâmetro

condição

min.

typ

max.

unidade

tensão para a frente

Eu f = 10μa

1,35

v

voltagem inversa

Eu f = 20ma

2,2

v

corrente inversa

v = 10v

2

μm

Comprimento de onda

Eu f = 20ma

565

575

nm

meia largura de onda

Eu f = 20ma

10

nm


·intensidade da luz  personagens

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;

código de brilho

la

Libra

lc

ld

le

Se

lg

lh

iv (mcd)

10—15

15-20

20-25

25-30

30 a 35

35-40

40 a 50

50-60


fonte: semiconductorwafers.net


Para mais informações, por favor visite nosso website: http://www.semiconductorwafers.net ,

envie-nos um e-mail em angel.ye@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com .







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