abstrato Para a aplicação de células solares, a estabilidade da qualidade da passivação da interface para as condições no campo é crucial. realizamos um experimento para testar a resiliência de diferentes esquemas de passivação baseados em óxido de alumínio para iluminação a 75 ° c. diferentes tratamentos térmicos para ativar a passivação e / ou simular a ativação de contato foram realizados antes da imersão da luz. o experimento foi realizado em silício de zona flutuante de 1 Ωcm de doping de tipo p e n. o estudo demonstra que uma boa qualidade de passivação pode ser alcançada tanto pela deposição de camada atômica quanto por pecvd e que a adição de camadas de tampão de nitreto de silício aumenta grandemente a estabilidade térmica. Nas bolachas de tipo p, observou-se uma degradação severa, mas temporária, da qualidade elétrica da massa da bolacha durante as primeiras horas após a aplicação de tais camadas de cobertura. Além desse efeito, observou-se estabilidade temporal razoável da vida efetiva para amostras de tipo p, enquanto as amostras de n-tipo apresentaram excelente estabilidade a longo prazo. Palavras-chave: silo de zona flutuante, passivação de óxido de alumínio, estabilidade, imersão leve 1. Introdução As melhorias recentes da eficiência de conceitos de células solares industrialmente viáveis foram conduzidas por melhorias da qualidade em massa do material e redução das perdas de recombinação nas superfícies. isso foi suportado pelo surgimento de esquemas de passivação baseados em óxido de alumínio para aplicação industrial devido ao seu bom propriedades de passivação. A boa qualidade de passivação das camadas de óxido de alumínio está bem estabelecida na literatura e demonstrada por uma multiplicidade de estudos, e. [1] e referências nele contidas. estudos sobre a estabilidade de Os esquemas de passivação geralmente se concentram em um sistema e / ou um fator de estresse, como armazenamento escuro, iluminação ou umidade condições de teste de calor [2-4]. para generalizar os resultados anteriores, realizamos um estudo comparando múltiplos esquemas diferentes em uma combinação de fatores de estresse que ocorre após a operação do módulo fotovoltaico: iluminação em temperatura elevada. nomenclatura Al2o3 camadas de óxido de alumínio estequiométricas depositadas por p-ald Camadas de óxido de alumínio removidas por pecvd fz float-zone degradação induzida por luz leve e alta temperatura deposição de camada atômica ativada por plasma p-ald deposição de vapor químico plasmada de pecvd imagem de fotoluminescência pli rtp processamento térmico rápido Velocidade de recombinação de superfície srv 2. Experimento 2.1. preparação de amostras, todas as experiências foram realizadas em bolachas de silício de zona de flutuação de quatro polegadas (fz). Após a limpeza química húmida, foi realizado um tratamento de oxidação a 1050 ° c para estabilizar a qualidade da massa da bolacha, conforme sugerido por grant et al. [5]. a camada resultante de óxido d...
xiamen powerway advanced material co., ltd., um fornecedor líder de algainp e outros produtos e serviços relacionados anunciados, a nova disponibilidade de tamanho 2 \"e\" 3 \"está em produção em massa em 2017. Este novo produto representa uma adição natural à linha de produtos de pam-xiamen. dr. Shaka, disse: \"temos o prazer de oferecer algainp camada para nossos clientes, incluindo muitos que estão se desenvolvendo melhor e mais confiável para diodos emissores de luz de alto brilho, lasers de diodo (pode reduzir a tensão de operação do laser), estrutura de poço quântico, células solares (potencial). nosso algain p tem excelentes propriedades, é um semicondutor, o que significa que sua banda de valência está completamente cheia. O ev do intervalo de banda entre a banda de valência e a banda de condução é pequeno o suficiente para poder emitir luz visível (1.7ev - 3.1ev). o espaço de banda de algainp está entre 1.81ev e 2ev. Isso corresponde a luz vermelha, laranja ou amarelo, e é por isso que os leds feitos de algainp são essas cores. a disponibilidade melhora o crescimento de boule e os processos de wafering \".\" e \"nossos clientes agora podem se beneficiar do aumento do rendimento do dispositivo esperado ao desenvolver transistores avançados em um substrato quadrado. nossa camada de algainp é natural por produtos de nossos esforços em andamento, atualmente nos dedicamos a desenvolver produtos com confiança contínua \". pam-xiamen melhorou algainp linha de produtos beneficiou de tecnologia forte, suporte de universidades nativas e centro de laboratório. agora mostra um exemplo da seguinte maneira: Estrutura laser de 808 nm camada: 0 material: tipo de substrato gaas: n nível (cm-3): 3.00e + 18 camada: 1 material: espessura gaas (um): 0,5 tipo: n nível (cm-3): 2.00e + 18 camada: 2 material: [ai (x) ga] em (y) px: 0.3 y: 0.49 tolerância de deformação (ppm): +/- 500 espessura (um): 1 tipo: n nível (cm-3): 1.00e +18 camada: 3 material: ganho (x) p x: tolerância de deformação 0,49 (ppm): +/- 500 espessura (um): 0,5 tipo: u / d camada: 4 material: gaas (x) p x: tolerância de deformação 0,86 (ppm): +/- 500 pl (nm): 798 +/- 3 espessura (um): 0,013 tipo: u / d camada: 5 material: ganho (x) p x: tolerância de deformação 0,49 (ppm): +/- 500 espessura (um): 0,5 tipo: u / d camada: 6 material: [ai (x) ga] em (y) px: 0.3 y: 0.49 tolerância de deformação (ppm): +/- 500 espessura (um): 1 tipo: p nível (cm-3): 1.00e +18 camada: 7 material: ganho (x) p x: 0.49 tolerância de deformação (ppm): +/- 500 espessura (um): 0.05 tipo: p nível (cm-3): 2.00e + 18 camada: 8 material: espessura de gaas (um): 0,1 tipo: p nível (cm-3): \u0026 gt; 2.00e19 sobre o material avançado xiamen powerway co., ltd encontrado em 1990, xiamen powerway material avançado co., ltd (pam-xiamen) é um fabricante líder de material semicondutor composto na China. O pam-xiamen desenvolve tecnologias avançadas de crescimento de cristais e epitaxia, processos de fabricação, substratos de engenhari...
esta imagem representa a configuração experimental, na qual uma amostra de tântalo é carregada por choque por um laser e sondada por um raio de raios-x. os padrões de difração, coletados por uma série de detectores, mostram que o material é submetido à geminação. A ilustração de fundo mostra uma estrutura de rede que criou gêmeos. crédito: ryan chen / llnl pela primeira vez, cientistas relataram experiências de difracção in situ que medem a gemagem de deformação no nível da rede durante a compressão de choque. Os resultados foram recentemente publicados na natureza por uma equipe de pesquisadores do laboratório nacional de lawrence livermore e colaboradores da universidade de Oxford, o laboratório nacional de los alamos, o laboratório nacional de aceleração da universidade de York e Slac. A compressão de choque é uma área de estudo desafiadora, pois combina condições extremas, como altas pressões e temperaturas, com prazos ultra-rápidos. para simplificar o problema, os cientistas geralmente assumem que os materiais sólidos se comportam como um fluido, fluindo e mudando sua forma (plasticidade) sem resistência. ainda, como um sólido, a maioria dos materiais também retém uma estrutura de rede. Como um material flui, mudando de forma, de alguma forma a rede também deve mudar, mantendo o padrão regular da rede. O estudo da plasticidade em um nível mais fundamental repousa em entender como a rede está mudando enquanto um material está deformando. deslocamento-deslocamento (onde as luxações de rede são geradas e se movem) e a geminação (onde os sub-grãos se formam com uma rede de imagem espelhada) são os mecanismos básicos de deformação plástica. apesar da sua importância fundamental para a plasticidade, o diagnóstico do mecanismo ativo in situ (durante o choque) foi evasivo. pesquisas anteriores estudaram o material após o fato (em \"recuperação\"), que introduz fatores adicionais de complicação e levou a resultados conflitantes. \"Experimentos de difracção in situ existem há algumas décadas, mas ganharam destaque apenas recentemente, pois lasers de alta potência e os laser de elétrons de raios-X tornaram as medições mais amplamente disponíveis, mais sensíveis e capazes de alcançar condições mais extremas\" disse Chris Wehrenberg, o físico e o principal autor do artigo. \"Nosso trabalho destaca uma área de estudo inexplorada, a distribuição de sinal dentro dos anéis de difracção, que pode gerar informações importantes\". os experimentos da equipe foram conduzidos no novo assunto em condições extremas, estação final, localizada na fonte de luz coerente linac de slac, que representa a vantagem em um grande investimento mundial em instalações que podem emparelhar difracção in-situ com alta pressão e alta- técnicas de taxa de deformação. \"Nestes experimentos, você lança uma onda de choque com um laser, onde um jato de plasma aquecido a laser cria uma pressão adversa em sua amostra e sonda o estado da sua amostra com um feixe de raios-x\", disse Wehrenber...
abstrato descrevemos técnicas para realizar fotolitografia e litografia de feixe de elétrons em sucessão no mesmo substrato coberto de resistência. as aberturas maiores são definidas na película de resistência através da fotolitografia, enquanto as aberturas menores são definidas através de litografia de feixe de elétron convencional. os dois processos são realizados um após o outro e sem um passo intermediário de desenvolvimento úmido. na conclusão das duas exposições, o filme de resistência é desenvolvido uma vez para revelar aberturas grandes e pequenas. Curiosamente, essas técnicas são aplicáveis tanto a litografias de tom positivas como a negativas com exposição óptica e de feixe de elétrons. O metacrilato de polimetilo, por si só ou misturado com um agente de reticulação fotocatalítico, é utilizado para este fim. demonstramos que tais resistências são sensíveis tanto à irradiação ultravioleta quanto ao feixe de elétrons. todas as quatro combinações possíveis, constituídas por litografias ópticas e de feixe de elétrons, realizadas em tom positivo e negativo os modos foram descritos. Foram mostradas estruturas de grade de demonstração e as condições do processo foram descritas para os quatro casos. fonte: iopscience Para mais informações, visite nosso site: http://www.semiconductorwafers.net , s termine nos e-mail em angel.ye@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com .
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