(1 1 1), (1 1 0) Cd0.96Zn0.04Te e (1 1 1) Cd0.9Zn0.1Te wafers semicondutores crescidos pelo método Bridgman vertical modificado com dimensões de 10 mm × 10 mm × 2,5 mm foram lapidados com uma solução poligonal de Al2O3 de 2 a 5 µm e depois polida quimicamente mecanicamente por uma solução ácida com nanopartículas com um diâmetro de cerca de 5 nm, correspondendo às rugosidades superficiais Ra de 2,135 nm, 1,968 nm e 1,856 nm. A dureza e o módulo de elasticidade dos monocristais (1 1 1), (1 1 0) Cd0.96Zn0.04Te e (1 1 1) Cd0.9Zn0.1Te são 1,21 GPa, 42,5 GPa; 1,02 GPa, 44,0 GPa; e 1,19 GPa, 43,4 GPa, respectivamente. Depois que o nanocorte é realizado pelo nanoindentador Berkovich, a rugosidade da superfície Ra do monocristal (1 1 1) Cd0.9Zn0.1Te atinge uma superfície ultralisa de 0,215 nm. A dureza e o módulo de elasticidade de três tipos deOs monocristais de CdZnTe diminuem com o aumento da carga de indentação. Quando o nanoindentador sai da superfície dos cristais, os efeitos de aderência são óbvios para os três tipos de monocristais. Isso é atribuído ao comportamento de aderência plástica do material CdZnTe em nível nanoescala. Quando a carga de indentação dos três tipos de monocristais de CdZnTe está na faixa de 4.000 a 12.000 µN, o material CdZnTe aderido ao nanoindentador cai na superfície e se acumula ao redor da nanoindentação. Fonte: IOPscience Para obter mais informações, visite nosso site: www.semiconductorwafers.ne t, envie-nos um e-mail para sales@powerwaywafer.com e powerwaymaterial@gmail.com
Filmes de AlGaN/ GaN foram cultivados em substratos de Si(111) carbonizados, que foram empregados para evitar que impurezas, como átomos residuais de Ga, reagissem e deteriorassem a superfície dos substratos de Si. O processo de limpeza para o canal de fluxo na deposição de vapor químico orgânico de metal (MOCVD) pode ser efetivamente eliminado usando este substrato de Si carbonizado, e filmes de AlGaN/GaN de alta qualidade foram obtidos. Fonte: IOPscience Para obter mais informações, visite nosso site: www.semiconductorwafers.ne t, envie-nos um e-mail para angel.ye@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com
PAM XIAMEN oferece crescimento epitaxial de AlGaN / GaN baseado HEMT em wafers de Si Recentemente, a PAM XIAMEN, fornecedora líder de wafers epitaxiais de GaN, anunciou que desenvolveu com sucesso "wafers epitaxiais de silício sobre silício de 6 polegadas (GaN-on-Si)" e seu tamanho de 6 polegadas está na produção em massa. PAM XIAMEN é eficaz em semicondutores de terceira geração Em para dispor e aproveitar as oportunidades de desenvolvimento da Composto de bandgap largo materiais semicondutores (ou seja, a terceira geração indústria de materiais semicondutores), o PAM XIAMEN tem investido em pesquisa e desenvolvimento contínuo, os dados mostram que a PAM XIAMEN está envolvida principalmente o projeto, desenvolvimento e produção de materiais semicondutores, especialmente materiais epitaxiais de nitreto de gálio (GaN) , com foco na aplicação de materiais relacionados em aviônica, comunicação 5G, Internet das coisas e outros campos, melhorar e enriquecer a empresa cadeia industrial. Desde a seu início, o PAM XIAMEN superou as dificuldades técnicas da treliça incompatibilidade, controle de estresse epitaxial em grande escala e Gaita epitaxial de alta voltagem crescimento entre os materiais GaN e Si, e desenvolveu com sucesso um as pastilhas epi de nitreto de gálio à base de silício que alcançaram a liderança mundial leve, e a bolacha de tamanho de 6 polegadas está na produção em massa, nossa estrutura geral é agora da seguinte forma: Gráfico 1: D-MODE Quadro 2: E-MODE isto Entende-se que este tipo de wafer epitaxial atinge alta tensão resistência de 650V / 700V, mantendo alta qualidade de cristal, alta uniformidade e alta confiabilidade de materiais epitaxiais. Pode satisfazer plenamente o aplicativo requisitos de dispositivos eletrônicos de alta tensão na indústria. De acordo PAM XIAMEN, no caso de se adotar o rigoroso critérios, wafers Epitaxial desenvolvidos pelo PAM XIAMEN têm vantagens de desempenho em termos de materiais, mecânica, eletricidade, tensão suportável, alta resistência à temperatura e longevidade. Nos campos de comunicação 5G, nuvem computação, fonte de carregamento rápido, carregamento sem fio, etc., pode assegurar aplicação segura e confiável de materiais e tecnologias relacionadas. Sobre a Xiamen Powerway Material Avançado Co., Ltd Encontrado em 1990, Xiamen Powerway Material Avançado Co., Ltd (PAM-XIAMEN), um dos principais fabricante de Semicondutor Wide Bandgap (WBG) material na China, seu negócio envolve material de GaN cobrindo GaN substrato, AlGaN / GaN HEMT epi wafers em substrato de carbeto de silício / silício / safira (Clique para ler Wafer epitaxial de GaN HEMT detalhes.) Perguntas e respostas Q: você pode por favor nos informar qual é a diferença entre o modo d e as bolachas do modo e? A: Há a diferença em dois principais pontos: 1 / estrutura de barreira, o valor típico de D-mode é AlGaN ~ 21nm, Al% ~ 25%, enquanto é AlGaN ~ 18nm e Al% ~ 20% em E-mode2 / E-HEMT, há ~ 100nm P-GaN para esvaziar 2DEG P: Estam...
A possibilidade de geração eficiente de radiação de diferença de freqüência nas faixas de IR de longe e de meio em um laser de dois chips baseado em arseneto de gálio crescido em um substrato de germânio é considerado. É mostrado que um laser com um guia de onda de 100 μm de largura emitindo 1 W na faixa de IV próximo pode gerar ≈40 μW na freqüência de diferença na região de 5 a 50 THz à temperatura ambiente. Fonte: IOPscience Para mais informações, por favor visite nosso website:www.semiconductorwafers.ne t envie-nos um email paraangel.ye@powerwaywafer.com oupowerwaymaterial@gmail.com
O PAM XIAMEN é comparável ao IQE do Reino Unido para construir Cadeia de fornecimento do núcleo epitaxial asiático VCSEL Xiamen A Powerway foca-se em R & amp; D de epitaxiais semicondutores compostos de alta fabricação. Em 2018, os VCSELs de 4 e 6 polegadas foram produzidos em massa e entraram no fabricantes de chips mainstream em Taiwan. Utilizando MBE state-of-the-art (Molecular Epitaxial Beam Epitaxy) tecnologia de produção em massa para alcançar o a mais alta qualidade dos produtos epitaxiais VCSEL de maior qualidade da indústria. Como mais e mais fornecedores de smartphones e equipamentos de TI seguem os passos da Apple, Os sistemas de sensores 3D baseados em VCEL (Vertical Cavity Surface Emitting Lasers) serão integrados em seus novos eletrônicos. De acordo à Memes Consulting, o envio de chips VCSEL para smartphones no próximo ano é deverá dobrar para 240 milhões em 2018. Nos próximos cinco anos, a Mercado VCSEL vai continuar a crescer com a capacidade de fornecedores relevantes no mercado internacional. arena. O tamanho do mercado crescerá para US $ 3,12 bilhões até 2022, com um composto taxa de crescimento anual de 17,3%. fornecedores de dispositivos VCSEL em Taiwan estão todos se preparando para o forte crescimento de VCSEL vendas em 2018. fornecedores de chips VCSEL internacional: tais como Lumentum Holdings, Finisar, Princeton Optronics, Heptagon também seguem, e também se esforçam para uma quota de o mercado neste campo. No o mesmo tempo, Xiamen Powerway foca em o processo de MBE (epitaxia por feixe molecular) da mais alta qualidade do setor. Com o expansão da detecção 3D, data center e aplicações 5G, a tecnologia MBE entrar no mercado mainstream no futuro. Xiamen Powerway começou a fornecer PHEMT de tamanho grande de 6 polegadas, VCSEL, Lasers (750nm a 1100nm), QWIP, PIN (GaAs, InP) e produtos de estrutura epitaxial do Data Center 25G. Com o uso crescente da tecnologia VCSEL, a linha de produtos da empresa se expandirá comunicações, comunicações ópticas e sensores para radar laser, industriais aplicações de aquecimento, visão de máquina e laser médico. Em 2018, o VCSEL tornar-se a principal força motriz para o crescimento a longo prazo da Xiamen Powerway. Emissão de comprimento de onda VCSEL comparação de feixes Finisar, um fornecedor de chips da US VCSEL, tem sido atraente recentemente e está expandindo sua capacidade da planta em Sherman, Texas, EUA, com um investimento de US $ 390 milhões Maçã. Espera-se que a capacidade recém-adicionada esteja operacional no segundo metade de 2018. Com o crescimento da capacidade da Finisar em VCSEL, combinado com o Capacidades de fornecimento Lumentum, a Apple deverá aplicar o rosto 3D profundo tecnologia de reconhecimento para outros produtos além do iPhone X, como o grande tamanho iPad e aplicativos no campo RA (Realidade Aumentada). Xiamen Powerway produz a primeira bolacha epitaxial do semicondutor de 940nm VCSEL de 4 polegadas da China De acordo a IQE, o maior fornecedor do Reino Unido ...
Buscamos condições ideais de crescimento para realizar planos Camadas BiTe no InP (111) B por epitaxia de parede quente. O substrato fornece uma incompatibilidade de estrutura relativamente pequena e, assim, as camadas orientadas (0001) crescem semicoerentemente. A janela de temperatura para o crescimento é considerada estreita devido à incompatibilidade de estrutura não zero e à reevaporação rápida de BiTe. As qualidades cristalinas avaliadas por meio de difração de raios X revelam deteriorações quando a temperatura do substrato se desvia do ótimo não apenas para baixas temperaturas, mas também para altas temperaturas. Para altas temperaturas de substrato, a composição Bi aumenta à medida que Te é parcialmente perdido por sublimação. Mostramos, além disso, que a exposição do fluxo de BiTe a temperaturas ainda mais altas resulta em corrosão anisotrópica dos substratos devido, presumivelmente, à substituição Bi pelos átomos de In dos substratos. Ao aumentar as camadas de BiTe no InP (001), demonstramos que a anisotropia de ligação na superfície do substrato dá origem a uma redução na simetria de alinhamento epitaxial no plano. fonte: iopscience Mais informações sobre outros produtos como Substrato InP , Inp Wafer etc bem-vindo visitar o nosso site:semiconductorwafers.net , envie-nos um email paraangel.ye@powerwaywafer.com oupowerwaymaterial@gmail.com .
Uma pequena matriz de lentes de Fresnel foi transformada em diamante bolacha InSb de cristal único usando uma ferramenta de diamante de ponto único com raio negativo de meio raio (−25 °). O arranjo usinado consistia de três lentes de Fresnel côncavas cortadas sob diferentes seqüências de usinagem. Os perfis de lente Fresnel foram projetados para operar no domínio paraxial tendo uma distribuição de fase quadrática. A amostra foi examinada por microscopia eletrônica de varredura e um perfilômetro óptico. A perfilometria óptica também foi utilizada para medir a rugosidade superficial da superfície usinada. Fichas de tipo dúctil foram observadas na face de inclinação da ferramenta de corte. Nenhum sinal de desgaste de ponta foi observado na ferramenta de diamante. A superfície usinada apresentou uma fase amorfa sondada por espectroscopia micro Raman. Um tratamento térmico com sucesso de recozimento foi realizado para recuperar a fase cristalina na superfície usinada. Os resultados indicaram que é possível realizar um processo de 'litografia mecânica' em semicondutores de cristal único . fonte: iopscience Para mais informações ou mais produtos como Germânio Único Cristais , bolachas de cristal único , Bolacha InSb etc por favor visite nosso website:semiconductorwafers.net , envie-nos um e-mail emangel.ye@powerwaywafer.com oupowerwaymaterial@gmail.com .
Processos de crescimento epitaxial para Polipletos de SiC em que um Substrato de SiC é empregado são estudados usando um modelo de crescimento em camadas. Os diagramas de fase correspondentes dos processos de crescimento epitaxial são dados. Os cálculos dos primeiros princípios são usados para determinar os parâmetros no modelo de crescimento em camadas. Os diagramas de fase de crescimento em camadas mostram que quando o rearranjo de átomos em uma superfície de bicamada Si-C é permitido, a estrutura 3C-SiC é formada. Quando o rearranjo de átomos em duas bicamadas Si-C de superfície é permitido, o 4H-SiC estrutura é formada. Quando o rearranjo de átomos em mais de duas bicamadas Si-C de superfície, exceto o caso de cinco bicamadas Si-C de superfície, é permitido, a estrutura 6H-SiC é formada, que também é mostrada como sendo a estrutura do estado fundamental. Quando o rearranjo de átomos em cinco superfícies de bicamadas Si-C é permitido, a estrutura 15R-SiC é formada. Assim, a fase 3C-SiC cresceria epitaxialmente a baixa temperatura, a fase 4H-SiC cresceria epitaxialmente a temperatura intermediária e a 6H-SiC ou as fases 15R-SiC cresceriam epitaxialmente a temperatura mais alta. fonte: iopscience Para mais informações, por favor visite nosso website: www.semiconductorwafers.net , envie-nos um e-mail emangel.ye@powerwaywafer.com oupowerwaymaterial@gmail.com .
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