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Antenas fotocondutoras altamente eficientes usando camadas de GaAs e substratos de Si desenvolvidos em baixa temperatura
Imagens não destrutivas sem contato da densidade de dopagem e resistividade elétrica de pastilhas semicondutoras de Si usando portadora lock-in
Teoria e prática do crescimento de SiC em Si e suas aplicações em filmes semicondutores de gap largo

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Ingan bolacha sic Bolacha epitaxial 4h-sic epitaxia gan substrato de gan bolachas epitaxiais substrato de gás estrutura epitaxial do diodo de laser bolacha de germânio nitreto de gálio

Antenas fotocondutoras altamente eficientes usando camadas de GaAs e substratos de Si desenvolvidos em baixa temperatura

2019-Mar-05

Melhoramos a eficiência de antenas fotocondutoras (PCAs) usando GaAs cultivados em baixa temperatura (LT-GaAs). Descobrimos que as propriedades físicas das camadas fotocondutoras de LT-GaAs afetam muito as características de geração e detecção de ondas terahertz (THz). Na geração de THz, a alta mobilidade de portadores fotoexcitados e a presença de alguns clusters de As nos LT-GaAs são dois fatore...

Substrato de GaAs camadas de GaAs de baixa temperatura LT-GaAs
Imagens não destrutivas sem contato da densidade de dopagem e resistividade elétrica de pastilhas semicondutoras de Si usando portadora lock-in

2019-Mar-12

Um método de imagem não destrutivo sem contato para concentração de dopante resolvida espacialmente, [2.2] N d, e resistividade elétrica, ρ, de wafers de silício tipo n e pusando imagens de portadora lock-in em várias intensidades de irradiação de laser. Informações de amplitude e fase de locais de wafer com resistividade conhecida foram empregadas para derivar um fator de calibração para determin...

semicondutor de wafer wafers de silício tipo p semicondutor
Teoria e prática do crescimento de SiC em Si e suas aplicações em filmes semicondutores de gap largo

2019-Mar-18

Os recentes avanços no crescimento de filmes epitaxiais de SiC em Si são vistos. Os métodos clássicos básicos atualmente usados para o crescimento de filmes de SiC são discutidos e suas vantagens e desvantagens são exploradas. A ideia básica e o embasamento teórico para um novo método de síntese de filmes epitaxiais de SiCem Si são dadas. Será mostrado que o novo método é significativamente dife...

silício sic Camadas epitaxiais de SiC filmes semicondutores

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