o desenvolvimento do mercado de semicondutores de energia SiC e GaN O estado atual da tecnologia e do mercado de SiC, e os tendência de desenvolvimento nos próximos anos. O mercado de dispositivos de SiC é promissor. Vendas de barreira Schottky diodos amadureceram e os envios MOSFET deverão aumentar significativamente nos próximos três anos. De acordo com analistas da Yole Développement, o SiC é m...
Neste trabalho, usando um simulador de dispositivo eletro-térmico tridimensional totalmente acoplado, estudamos o mecanismo de degradação de eficiência em alta operação atual em planar G uma Diodos emissores de luz baseados em N (CONDUZIU). Em particular, foi demonstrada a melhoria da degradação da eficiência utilizando substratos GaN condutores mais espessos. Primeiro, verifica-se que o aquecimen...
Para materiais homogêneos, o método de imersão ultrassônica, associado a um processo de otimização numérica baseado principalmente no algoritmo de Newton, permite a determinação de constantes elásticas para vários materiais compósitos sintéticos e naturais. No entanto, uma limitação principal do procedimento de otimização existente ocorre quando o material considerado está no limite da hipótese ho...
Um epirreator vertical de parede quente que permite simultaneamente alcançar uma alta taxa de crescimento e uniformidade de grandes áreas foi desenvolvido. Uma taxa de crescimento máxima de 250 µm / h é alcançada com uma morfologia espelhada a 1650 ° C. Sob uma modificação epi-reator configuração, uma uniformidade de espessura de 1,1% e uma uniformidade de dopagem de 6,7% para uma área de 65 mm de...
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