uma camada de cobertura de grafite foi avaliada para proteger a superfície de bolachas epitaxiais 4h-sic com 4 e 7 implantadas e implantadas seletivamente durante o recozimento pós-implantação. O fotorresistante az-5214e foi centrifugado e cozido em vácuo a temperaturas variando de 750 a 850 ° c para formar um revestimento contínuo em superfícies sic planar e mesa com características de até 2 μm de altura. A conversão completa do filme do tipo polímero hidrogenado em camada de grafite nanocristalina foi verificada por espectroscopia raman. a camada de cobertura de grafite permaneceu intacta e protegida tanto nas superfícies sic planar quanto na mesa gravada durante o subsequente recozimento em atmosfera de árgon a temperaturas até 1650 ° c durante 30 min. ele reprimiu efetivamente o agrupamento gradual e a disseminação de dopantes em regiões implantadas e, simultaneamente, garantiu que a superfície não implantada da bolacha epitaxial 4h-sic permanecia livre de contaminação. Os díodos de barreira schottky formados nas superfícies recozidas não implantadas apresentam características quase ideais.

soource: iopscience

Para mais informações, visite nosso site: http: // www.semiconductorwafers.net ,

envie-nos e-mail para angel.ye@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com