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bolacha de semicondutor de gálio

2017-12-22

bolacha de semicondutor de gálio

substrato de bolacha gaas - arsenieto de gáliowww.semiconductorwafers.netwww.semiconductorwafers.net
quantidade material orientação. diâmetro espessura polonês resistividade tipo dopante nc mobilidade epd
pcs (milímetros) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 gaas ( 100 ) 25.4 4000 ± 50 dsp \u0026 gt; 1e7 não dopado n / D n / D \u0026 lt; 1e5
1-100 gaas ( 100 ) 50,7 350-370 ssp \u0026 gt; 1e7 não dopado n / D \u0026 gt; 3500 \u0026 lt; 10000
1-100 gaas (100) 2 ° ± 0,50 em direção a (011) 50,7 350 ± 10 ssp (0,8-9) e -3 n / si (8) e17 2000-3000 \u0026 lt; 5000
1-100 gaas (100) 6 ° ± 0,50 em direção a (011) 50,7 350 ± 20 ssp (0,8-9) × 10 -3 n / si (0,2-4) e18 ≥1000 ≤5000
1-100 gaas ( 100 ) 50,8 350 ssp n / D p / zn (1-5) e19 n / D \u0026 lt; 5000
1-100 gaas ( 100 ) 50,8 5000 ± 50 ssp \u0026 gt; 1e8 não dopado n / D n / D n / D
1-100 gaas ( 100 ) 50,8 4000 ± 50 ssp \u0026 gt; 1e7 não dopado n / D n / D n / D
1-100 gaas ( 100 ) 50,8 8000 ± 10 como cortado \u0026 gt; 1e7 não dopado n / D n / D n / D
1-100 gaas ( 100 ) 50,8 8000 ± 10 dsp \u0026 gt; 1e7 não dopado n / D n / D n / D
1-100 gaas (100) 2 ° 50,8 3000 ssp \u0026 gt; 1e7 n / si n / D n / D n / D
1-100 gaas ( 100 ) 50,8 350 ± 25 ssp \u0026 gt; 1e7 n / D (1-5) e19 n / D n / D
1-100 gaas ( 100 ) 50,8 350 ± 25 ssp n / D n / D (0,4-3,5) e18 ≥1400 ≤100
1-100 gaas (100) 0 ° ou 2 ° 76.2 130 ± 20 dsp n / D não dopado n / D n / D \u0026 lt; 10000
1-100 gaas (100) 2 ° ± 0,50 76.2 350 ± 25 ssp n / D n / si (0,4-2,5) e18 n / D ≤5000
1-100 gaas ( 100 ) 76.2 350 ± 25 ssp n / D n / D n / D n / D n / D
1-100 gaas ( 100 ) 76.2 350 ± 25 ssp \u0026 gt; 1e7 não dopado n / D n / D ≤8e4 ou 1e4
1-100 gaas ( 100 ) 76.2 625 ± 25 dsp \u0026 gt; 1e7 não dopado n / D ≥4500 ≤8e4 ou 1e4
1-100 gaas (100) 2 ° ± 0,10 desligado em direção (110) 76.2 500 ssp \u0026 gt; 1e7 não dopado n / D n / D n / D
1-100 gaas (100) 2 ° 100 625 dsp \u0026 gt; 1e7 não dopado n / D n / D n / D
1-100 gaas (100) 2 ° 100 625 ± 25 dsp n / D n / D n / D n / D n / D
1-100 gaas (100) 2 ° ± 0,50 em direção a (011) 100 350 ± 25 ssp n / D n / si (0,4-3,5) e18 n / D ≤5000
1-100 gaas (100) 2 ° ± 0,10 desligado em direção (110) 100 625 ± 25 dsp (1-4) e18 não dopado n / D n / D n / D
1-100 gaas (100) 2 ° ± 0,50 em direção a (011) 100 625 ± 25 dsp (1.0-4.0) 1e8 não dopado n / D n / D n / D
1-100 gaas (100) 2 ° ± 0,50 em direção a (011) 100 625 ± 25 dsp (1-4) e8 não dopado n / D n / D n / D
1-100 gaas (100) 2 ° ± 0,50 em direção a (011) 100 350 ± 25 ssp n / D n / si (0,4-4) e18 n / D ≤5000
1-100 gaas (100) 15 ° ± 0,50 em direção a (011) 100 350 ± 25 ssp n / D n / si (0,4-4) e18 n / D ≤5000
1-100 gaas (100) 2 ° ± 0,50 100 350 ± 25 dsp n / D n / si (0,4-4) e18 n / D ≤5000
1-100 gaas (100) 2 ° ± 0,50 100 625 ± 25 ssp (1-4) e18 não dopado n / D n / D n / D
1-100 gaas (100) 2 ° ± 0,50 150 675 ± 25 dsp \u0026 gt; 1e7 não dopado n / D n / D n / D
1-100 gaas (100) 0 ° ± 3.0 ° 150 675 ± 25 dsp \u0026 gt; 1.0 × 107 não dopado n / D n / D n / D
1-100 gaas ( 310 ) 50,8 / 76,2 n / D n / D n / D n / D n / D n / D n / D

Como um fornecedor de waffles gaas, oferecemos uma lista de semicondutores gaas para sua referência, se você precisar de detalhes de preços, entre em contato com nossa equipe de vendas

Nota:

*** como fabricante, também aceitamos pequena quantidade para pesquisador ou fundição.

*** tempo de entrega: depende do estoque que temos, se tivermos estoque, podemos enviar para você em breve. *** nós oferecemos serviço de epitaxia gaas por mbe e mocvd, entre em contato com nossa equipe de vendas.


substrato de bolacha de gás - antimonido de gálio
quantidade material orientação. diâmetro espessura polonês resistividade tipo dopante nc mobilidade epd
pcs (milímetros) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 gás (100) ± 0,5 50,8 500 ± 25 ssp n / D te 1e17 - 5e18 n / D \u0026 lt; 1000
1-100 gás (111) a ± 0,5 50,8 500 ± 25 ssp n / D te 1e17 - 5e18 n / D \u0026 lt; 1000
1-100 gás (111) b 50,8 n / D n / D n / D te (5-8) e17 n / D n / D
1-100 gás (111) b 50,8 n / D n / D n / D não dopado Nenhum n / D n / D
1-100 gás (100) ± 0,5 50,8 500 ssp n / D p / (1-5) e17cm-3 n / D n / D
1-100 gás (100) ± 0,5 50,8 500 ssp n / D n / (1-5) e17cm-3 n / D n / D
1-100 gás (100) ± 0,5 50,8 500 ssp n / D n / te (1-8) e17 / (2-7) e16 n / D \u0026 lt; 1000
1-100 gás ( 100 ) 50,8 450 ± 25 ssp n / D n / D (1-1.2) e17 n / D n / D
1-100 gás ( 100 ) 50,8 350 ± 25 ssp n / D n / D n / D n / D n / D
1-100 gás ( 100 ) 76,8 500-600 n / D n / D não dopado Nenhum n / D n / D
1-100 gás ( 100 ) 100 800 ± 25 dsp n / D p / zn n / D n / D n / D
1-100 gás ( 100 ) 100 250 ± 25 n / D n / D p / zno n / D n / D n / D

como fornecedor de bolacha, oferecemos uma lista de semicondutores de gás para sua referência, se você precisar de detalhes de preços, entre em contato com nossa equipe de vendas


Nota:

*** como fabricante, também aceitamos pequena quantidade para pesquisador ou fundição.

*** Tempo de entrega: depende do estoque que temos, se tivermos estoque, podemos enviar para você em breve.


substrato de bolacha de bolacha - posfídio de gálio
quantidade material orientação. diâmetro espessura polonês resistividade tipo dopante nc mobilidade epd
pcs (milímetros) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 gap ( 111 ) 50 5000 ± 20 ssp n / D n n / D n / D n / D
1-100 gap (111) ± 0,5 ° 50 ± 0,5 300 ± 20 n / D n / D s (2 ~ 7) × 1e17 ≥100 \u0026 lt; 3 × 1e5
1-100 gap (111) ± 0,5 ° 50 ± 0,5 300 ± 20 n / D n / D te (1 ~ 2) × 1e17 ≥100 \u0026 lt; 3 × 1e5

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Nota:

*** como fabricante, também aceitamos pequena quantidade para pesquisador ou fundição.

*** Tempo de entrega: depende do estoque que temos, se tivermos estoque, podemos enviar para você em breve.





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