O pam-xiamen fornece detectores baseados em czt por tecnologia de detector de estado sólido para raios-x ou raios-gama, que possui melhor resolução de energia em comparação com detector de cristal com cintilação, incluindo detector czt planar, detector czt pixelado, czt co-planar gri
detector czt
Detector planar 1.1czt
especificações
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hv |
+200 v ~ +500 v |
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faixa de energia |
20 kev ~ 200 kev |
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operativo faixa de temperatura |
-20 ℃ ~ 40 ℃ |
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Tamanho ( mm 3 ) |
5 × 5 × 2 |
10 × 10 × 2 |
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energia resolução @ 59,5 kev |
contador grau |
u003e 15% |
u003e 15% |
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discriminador grau |
7% ~ 15% |
8% ~ 15% |
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espectrômetro grau |
u003c 7% |
u003c 8% |
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Nota |
u0026 emsp; |
outros tamanhos podem também estará disponível |
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montagem padrão de 5 x 5 × 2mm 3 czt
montagem padrão de 10 x 10 × 2mm 3 czt
Detector pixelado de 1,2czt
especificações
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aplicação |
espectro , câmera γ |
raio X imagens |
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operativo faixa de temperatura |
-20 ℃ ~ 40 ℃ |
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energia típica resolução |
u003c 6.5%@59.5 kev |
- |
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taxa de contagem |
- |
u003e 2 m cps / pixel |
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matriz típica |
matriz de área detector: 8 × 8 |
matriz de área detector: 8 × 8 |
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matriz linear detector: 1 × 16 |
matriz linear detector: 1 × 16 |
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o máximo dimensões do cristal |
40 × 40 × 5 mm 3 |
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Nota |
outro eletrodo padrão também pode estar disponível |
u0026 emsp; |
Montagem de detector czt padrão de 8 × 8 pixels
Montagem de detector czt padrão de 8 × 8 pixels
1.3czt detectores de grade co-planar
especificações
hv: +1000 v ~ + 3000v
faixa de energia: 50 kev ~ 3 mev
faixa de temperatura operacional: -20 ℃ ~ 40 ℃
Resolução típica de energia: u003c4% @ 662 kev
relação pico-para-compton: 3 ~ 5
tamanho padrão (mm 3): 10 × 10 × 5, 10 × 10 × 10
Detector hemisférico 1,4czt
hv: +200 v ~ +1000 v faixa de temperatura operacional: -20 ℃ ~ 40 ℃
faixa de energia: resolução de energia típica de 50 kev ~ 3 mev: u003c3% @ 662 kev
tamanho padrão (mm 3): 4 × 4 × 2, 5 × 5 × 2,5, 10 × 10 × 5
O telurídeo de cádmio e zinco (cdznte ou czt) é um novo semicondutor, que permite converter a radiação para o elétron efetivamente, é usado principalmente no substrato de epitaxia de filme fino infravermelho, detectores de raios-x e detectores de raios gama, modulação óptica a laser, células solares de desempenho e outros campos de alta tecnologia.8
A linha de energia de xiamen oferece gasferina - antimônio de gálio que são cultivados por lec (ccochralski encapsulado em líquido) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou (100)
estamos fabricando vários tipos de materiais semicondutores de n-tipo de epi wafer iii-v de silicone, baseados em ga, al, in, as e p crescidos por mbe ou mocvd. Nós fornecemos estruturas personalizadas para atender às especificações do cliente. Contacte-nos para mais informações.
pam-xiamen estabeleceu a tecnologia de fabricação de bolacha de substrato de gancho independente (galão de nitreto), que é para uhb-led e ld. cultivado por tecnologia de epitaxia em fase de vapor de hidreto (hvpe), nosso substrato de ganhado tem baixa densidade de defeito.
Pam oferece materiais semicondutores, bolacha monocristalina (ge) germânio cultivada por vgf / lec
xiamen O powerway oferece vazão gap - fosforeto de gálio que são cultivados por lec (líquido encapsulado czochralski) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou (100).
Os produtos modelo de pam-xiamen consistem em camadas cristalinas de nitreto de gálio (gan), nitreto de alumínio (aln), nitreto de alumínio e gálio (algan) e nitreto de indio e gálio (ingan), que são depositados em substratos de safira, O carboneto de silício ou os produtos de modelo de silicon.pam-xiamen permitem 20-50% de tempos de ciclo de epita8
a bolacha de gravura tem as características de baixa rugosidade, bom brilho e custo relativamente baixo, e substitui diretamente a bolacha polida ou bolacha epitaxial que tem um custo relativamente alto para produzir os elementos eletrônicos em alguns campos, para reduzir os custos. há as bolachas de gravura de baixa densidade, baixa reflexividade 8
informações de contato
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
