como o fabricante principal de material composto semicondutor na China. pam-xiamen desenvolve tecnologias avançadas de crescimento de cristais e epitaxia, variam desde a primeira geração de bolacha de germânio, arsenieto de gálio de segunda geração com crescimento de substrato e epitaxia em materiais semicondutores de n-tipo dobrados com silício iii-v com base em ga, al, in, as e p Crescido por mbe ou mocvd, para a terceira geração: carboneto de silício e nitreto de gálio para aplicações de dispositivos led e de alimentação.
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