Para materiais homogêneos, o método de imersão ultrassônica, associado a um processo de otimização numérica baseado principalmente no algoritmo de Newton, permite a determinação de constantes elásticas para vários materiais compósitos sintéticos e naturais. No entanto, uma limitação principal do procedimento de otimização existente ocorre quando o material considerado está no limite da hipótese ho...
Um epirreator vertical de parede quente que permite simultaneamente alcançar uma alta taxa de crescimento e uniformidade de grandes áreas foi desenvolvido. Uma taxa de crescimento máxima de 250 µm / h é alcançada com uma morfologia espelhada a 1650 ° C. Sob uma modificação epi-reator configuração, uma uniformidade de espessura de 1,1% e uma uniformidade de dopagem de 6,7% para uma área de 65 mm de...
Os recentes avanços no crescimento de filmes epitaxiais de SiC em Si são vistos. Os métodos clássicos básicos atualmente usados para o crescimento de filmes de SiC são discutidos e suas vantagens e desvantagens são exploradas. A ideia básica e o embasamento teórico para um novo método de síntese de filmes epitaxiais de SiCem Si são dadas. Será mostrado que o novo método é significativamente dife...
informações de contato
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
