lasers de diodo direto têm algumas das características mais atraentes de qualquer laser. eles são muito eficientes, compactos, de comprimento de onda versáteis, de baixo custo e altamente confiáveis. no entanto, a utilização total de lasers de diodo diretos ainda não foi realizada. a má qualidade de laser de diodo feixe em si, afetam diretamente suas faixas de aplicação, a fim de melhor utilização...
a condição de crescimento de dopado com gan camada de cobertura e seu efeito na formação de contato ôhmico do tipo p foram investigados. confirma-se que a dopagem excessiva em mg pode efetivamente aumentar o contato ni / au com gan após recozimento a 550 ° c. quando a taxa de fluxo entre mg e ga fontes de gás é de 6,4% e a largura da camada é de 25 nm, a camada de cobertura cultivada a 850 ° c exi...
nós relatamos a geração de microdischarges em dispositivos compostos de microcristalinadiamante. as descargas foram geradas em estruturas de dispositivos com geometrias de descarga catódica de microhollow. uma estrutura consistia de uma pastilha de diamante isolante revestida com camadas de diamante dopadas com boro em ambos os lados. uma segunda estrutura consistia de uma pastilha de diamante iso...
relatamos o crescimento de epitaxia por feixe químico aux-assistido de nanofios de zincblenda insegura sem defeitos. o crescido insb segmentos são as seções superiores de heteroestruturas inas / insb em substratos inas (111) b. mostramos, através da análise de tempo, que o zincblende insb pode ser cultivado sem quaisquer defeitos de cristal, tais como falhas de empilhamento ou planos de junção. A ...
os recentes avanços no crescimento de filmes epitaxiais sic em si são analisados. Os métodos clássicos básicos usados atualmente para o crescimento de filmes sic são discutidos e suas vantagens e desvantagens são exploradas. a idéia básica e o fundo teórico para um novo método da síntese de filmes sic epitaxiais em si são dados. Será mostrado que o novo método é significativamente diferente das ...
ainda é um grande desafio para dispositivos baseados em semicondutores obterem um grande efeito de magnetorresistência (mr) sob um campo magnético baixo à temperatura ambiente. Neste trabalho, os efeitos de fotoinduzida em diferentes intensidades de iluminação à temperatura ambiente são investigados arsenieto de gálio semi-isolante ( si-gaas ag / si-gaas / ag baseado em o dispositivo é submetido à...
o processo para diminuir a densidade de deslocamento em 3 polegadas dopado bolachas de inp é descrito. o processo de crescimento de cristais é um czochralsky (lec) encapsulado em um líquido convencional, mas escudos térmicos foram adicionados para diminuir o gradiente térmico no cristal em crescimento. A forma desses escudos foi otimizada com a ajuda de simulações numéricas de transferência de cal...
Os segmentos inas foram cultivados no topo das ilhas gaas, inicialmente criados por epitaxia gotosa em substrato de silício. exploramos sistematicamente o espaço de parâmetros de crescimento para a deposição de inas, identificando as condições para o crescimento seletivo Gaas e para crescimento puramente axial. os segmentos inas axiais foram formados com suas paredes laterais giradas por 30 $ ^ {{...
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