Usando deposição de vapor químico melhorado por plasma (PECVD) a 13,56 MHz, uma camada de semente é fabricada na fase inicial de crescimento do microcristalino hidrogenado silício germânio (μc-Si1-xGex: H) i-layer. Os efeitos dos processos de semeadura no crescimento de μc-Si1-xGex: H-camadas e o desempenho de μc-Si1-xGex: Hp-i-n células solares de junção única são investigados. Ao aplicar este mé...
Experimentos ortogonais de crescimento de filmes GaSb em Substrato de GaAs foram projetados e executados usando um sistema de baixa deposição de vapor químico orgânico de metal (LP-MOCVD). As cristalinidades e microestruturas dos filmes produzidos foram comparativamente analisadas para atingir os parâmetros ótimos de crescimento. Foi demonstrado que o filme fino GaSb otimizado tem uma largura tota...
Para materiais homogêneos, o método de imersão ultrassônica, associado a um processo de otimização numérica baseado principalmente no algoritmo de Newton, permite a determinação de constantes elásticas para vários materiais compósitos sintéticos e naturais. No entanto, uma limitação principal do procedimento de otimização existente ocorre quando o material considerado está no limite da hipótese ho...
Um método de imagem não destrutivo sem contato para concentração de dopante resolvida espacialmente, [2.2] N d, e resistividade elétrica, ρ, de wafers de silício tipo n e pusando imagens de portadora lock-in em várias intensidades de irradiação de laser. Informações de amplitude e fase de locais de wafer com resistividade conhecida foram empregadas para derivar um fator de calibração para determin...
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