Pam oferece materiais semicondutores, bolacha monocristalina (ge) germânio cultivada por vgf / lec
moq :
1
bolacha monocristalino (ge) germanium
Pam oferece materiais semicondutores, monocristalinos e bolachas (germanium) Crescido por vgf / lec
Propriedades gerais da bolacha de germânio
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geral estrutura de propriedades |
cúbico a = 5.6754 Å |
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densidade: 5.765 g / cm3 |
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fusão ponto: 937,4 oc |
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térmico condutividade: 640 |
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crescimento de cristais tecnologia |
czochralski |
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doping acessível |
não dopado |
dopagem de sb |
doping ou ga |
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tipo condutor |
/ |
n |
p |
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resistividade, ohm.cm |
u0026 gt; 35 |
u0026 lt; 0,05 |
0,05 - 0,1 |
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epd |
u0026 lt; 5x10 3 /cm 2 |
u0026 lt; 5x10 3 /cm 2 |
u0026 lt; 5x10 3 /cm 2 |
|
u0026 lt; 5x10 2 /cm 2 |
u0026 lt; 5x10 2 /cm 2 |
u0026 lt; 5x10 2 /cm 2 |
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notas e aplicação de bolacha de germânio
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grau eletrônico |
usado para diodos e transistores, |
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infravermelho ou nota óptica |
usado para ir janela ou discos ópticos, componentes ópticos |
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grau celular |
Especificações padrão de cristal de germânio e bolacha
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cristal orientação |
u0026 lt; 111 u0026 gt; u0026 lt; 100 u0026 gt; e u0026 lt; 110 u0026 gt; ± 0,5 o ou orientação personalizada |
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bola de cristal como crescido |
1 "~ Comprimento de 6 "de diâmetro x 200 mm |
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padrão em branco como cortado |
1 "x 0,5mm |
2 "x0.6mm |
4 "x0.7mm |
5 "& 6" x0.8mm |
|
padrão bolacha polida (um / dois lados polidos) |
1 "x 0,30 mm |
2 "x0,5mm |
4 "x0,5mm |
5 "& 6" x0.6mm |
tamanho especial e orientação estão disponíveis nas ominhas solicitadas
especificação da bolacha de germânio
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item |
especificações |
observações |
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método de crescimento |
vgf |
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tipo de condução |
n-tipo, tipo p, não dopado |
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dopante |
gálio ou antimônio |
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wafer diamter |
2, 3,4 e amp; 6 |
polegada |
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cristal orientação |
(100), (111), (110) |
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espessura |
200 ~ 550 |
um |
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do |
ej ou nós |
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transportadora concentração |
pedido sobre clientes |
u0026 emsp; |
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resistividade em rt |
(0,001 ~ 80) |
ohm.cm |
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Densidade do poço gravado |
u0026 lt; 5000 |
/ cm2 |
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marcação a laser |
a pedido |
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acabamento de superfície |
p / e ou p / p |
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epi pronto |
sim |
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pacote |
bolacha única recipiente ou cassete |
u0026 emsp; |
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Bolacha de 4 polegadas especificação |
para células solares |
u0026 emsp; |
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doping |
p |
u0026 emsp; |
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doping substâncias |
ge-ga |
u0026 emsp; |
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diâmetro |
100 ± 0,25 milímetros |
u0026 emsp; |
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orientação |
(100) 9 ° fora em direção a u0026 lt; 111 u0026 gt; +/- 0,5 |
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fora de orientação ângulo de inclinaçao |
n / D |
u0026 emsp; |
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apartamento primário orientação |
n / D |
u0026 emsp; |
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apartamento primário comprimento |
32 ± 1 |
milímetros |
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apartamento secundário orientação |
n / D |
u0026 emsp; |
|
apartamento secundário comprimento |
n / D |
milímetros |
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cc |
(0,26-2,24) e18 |
/c.c |
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resistividade |
(0,74-2,81) e-2 |
ohm.cm |
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elétron mobilidade |
382-865 |
cm2 / v.s. |
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epd |
u0026 lt; 300 |
/ cm2 |
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marca de laser |
n / D |
u0026 emsp; |
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espessura |
175 ± 10 |
μm |
|
ttv |
u003c 15 |
μm |
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Tir |
n / D |
μm |
|
arco |
u0026 lt; 10 |
μm |
|
urdidura |
u003c 10 |
μm |
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face frontal |
polido |
u0026 emsp; |
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Face traseira |
chão |
u0026 emsp; |
Processo de bolacha de germânio
no processo de produção de bolacha de germânio, o dióxido de germânio do processamento de resíduos é ainda purificado em passos de cloração e hidrólise.
1) o germânio de alta pureza é obtido durante a refinação da zona.
2) um cristal de germânio é produzido através do processo czochralski.
3) a bolacha de germânio é fabricada através de várias etapas de corte, trituração e gravura.
4) as bolachas são limpas e inspecionadas. Durante este processo, as bolachas são polidas laterais ou laterais laterais polidas de acordo com o requisito personalizado, vem a bolacha epi-ready.
5) as bolachas são embaladas em recipientes individuais de bolachas, sob uma atmosfera de nitrogênio.
aplicação:
O vazio ou a janela de germânio são usados em soluções de visão noturna e imagens termográficas para segurança comercial, combate a incêndio e equipamentos de monitoramento industrial. também, são usados como filtros para equipamentos analíticos e de medição, janelas para medição remota de temperatura e espelhos para lasers.
Os substratos finos de germânio são usados em células solares de junção tripla iii-v e para sistemas de pv com potência concentrada (cpv).
Os produtos modelo de pam-xiamen consistem em camadas cristalinas de nitreto de gálio (gan), nitreto de alumínio (aln), nitreto de alumínio e gálio (algan) e nitreto de indio e gálio (ingan), que são depositados em substratos de safira, O carboneto de silício ou os produtos de modelo de silicon.pam-xiamen permitem 20-50% de tempos de ciclo de epita8
Os transdutores de nitrogênio de gálio (gan) (transistores de alta mobilidade de elétrons) são a próxima geração de tecnologia de transistores de potência rf. Com a tecnologia gan, Pam-xiamen agora oferece alpina epi wafer em safira ou silício e algan / gan em modelo de safira .
O pam-xiamen fornece detectores baseados em czt por tecnologia de detector de estado sólido para raios-x ou raios-gama, que possui melhor resolução de energia em comparação com detector de cristal com cintilação, incluindo detector czt planar, detector czt pixelado, czt co-planar gri
fz-silício O silício monocristalino com características de baixo teor de material estranho, baixa densidade de defeito e estrutura cristalina perfeita é produzido com o processo de zona flutuante; nenhum material estranho é introduzido durante o crescimento do cristal. a condutividade fz-silício é geralmente acima de 1000 Ω-cm, e o fz-silício é usa8
pam-xiamen estabeleceu a tecnologia de fabricação de bolacha de substrato de gancho independente (galão de nitreto), que é para uhb-led e ld. cultivado por tecnologia de epitaxia em fase de vapor de hidreto (hvpe), nosso substrato de ganhado tem baixa densidade de defeito.
pam-xiamen oferece fotomassas uma máscara de foto é um revestimento fino de material de máscara suportado por um substrato mais espesso, e o material de máscara absorve a luz em graus variados e pode ser padronizado com um design personalizado. O padrão é usado para modular a luz e transferir o padrão através do processo de fotolitografia, que é o 8
Devido às propriedades físicas e eletrônicas do SIC, o dispositivo à base de carboneto de silício é adequado para dispositivos eletrônicos optoeletrônicos de curto comprimento de onda, alta temperatura, radiação e alta potência / alta freqüência, em comparação com o dispositivo baseado em si e gaas.
A bolacha epitaxial de silício (epi wafer) é uma camada de silício monocristalino depositada em uma única bolacha de silício de cristal (nota: está disponível para cultivar uma camada de camada de silício poli-cristalino em cima de uma bolacha de silicone altamente dopada e cristalina, mas precisa camada tampão (como o óxido ou o poli-si) entre o s8
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