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Densidade de 2-23.micropipe

2.definição de propriedades dimensionais, terminologia e métodos de bolacha de carboneto de silício

Densidade de 2-23.micropipe

2018-01-08

um micropipe, também conhecido como “micropore”, “microtube”, “capillary defeito” ou “pinhole defect”, é um defeito cristalográfico em um único substrato de cristal.é um parâmetro importante para os fabricantes de substratos de carboneto de silício (sic) que são usados ​​em uma variedade de indústrias, como dispositivos semicondutores de potência para veículos e dispositivos de comunicação de alta frequência.


no entanto, durante a produção desses materiais, o cristal sofre tensões internas e externas, causando o crescimento de defeitos, ou deslocamentos, dentro da rede atômica.


uma luxação de parafuso é uma luxação comum que transforma sucessivos planos atômicos dentro de uma rede cristalina em forma de hélice. uma vez que a luxação do parafuso se propaga através do volume de uma amostra durante o processo de crescimento da bolacha, um micropipe é formado. a presença de uma alta densidade de micropipes dentro de uma bolacha resultará em uma perda de rendimento no processo de fabricação do dispositivo.


Micropipes e luxações de parafusos em camadas epitaxiais são normalmente derivados dos substratos nos quais a epitaxia é realizada. micropipetas são consideradas como deslocamentos de parafuso de núcleo vazio com grande energia de deformação (ou seja, possuem vetor de grandes hambúrgueres); eles seguem a direção do crescimento (eixo c) em bocados de carboneto de silício e substratos que se propagam para as camadas epitaxiais depositadas.


factores que influenciam a formação de micropipes (e outros defeitos) são os parâmetros de crescimento tais como a temperatura, supersaturação, estequiometria da fase de vapor, impurezas e a polaridade da superfície do cristal de sementes.


A densidade de micropipe (mpd) é um parâmetro crucial para substratos de carboneto de silício (sic) que determina a qualidade, estabilidade e rendimento dos dispositivos semicondutores construídos nesses substratos. a importância do mpd é enfatizada pelo fato de que todas as especificações existentes para substratos 6h e 4h-sic estabelecem limites superiores para ele.

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