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2.definição de propriedades dimensionais, terminologia e métodos de bolacha de carboneto de silício

2-33.p type

2018-01-08

um semicondutor tem condutividade elétrica entre a de um condutor e um isolante. os semicondutores diferem dos metais em suas propriedades características de resistividade elétrica decrescente com o aumento da temperatura. Os condutores também podem exibir propriedades da corrente de passagem mais facilmente em uma direção do que na outra, e sensibilidade à luz. porque as propriedades condutoras de um semicondutor podem ser modificadas pela adição controlada de impurezas ou pela aplicação de campos ou luz, os semicondutores são dispositivos muito úteis para amplificação de sinais, chaveamento e conversão de energia. A teoria abrangente de semicondutores baseia-se nos princípios da física quântica para explicar os movimentos dos elétrons através de uma rede de átomos.



a condução de corrente em um semicondutor ocorre através de elétrons e buracos livres, coletivamente conhecidos como portadores de carga. Adicionar uma pequena quantidade de átomos de impureza aumenta consideravelmente o número de portadores de carga dentro dela. quando um semicondutor dopado contém buracos em excesso, é chamado de \"tipo p\" e, quando contém excesso de elétrons livres, é conhecido como \"tipo n\". o material semicondutor usado em dispositivos é dopado sob condições altamente controladas para controlar com precisão a localização e concentração de dopantes tipo p e n. um único cristal semicondutor pode ter múltiplas regiões do tipo p e n; as junções p-n entre essas regiões têm muitas propriedades eletrônicas úteis.


material de carboneto de silício com orifícios como a maioria dos transportadores de corrente. furos têm carga positiva (p). dopagem com a impureza de boro cria material do tipo p.

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