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3-2. arranhões

3. Definições de epitaxia de carboneto de silício

3-2. arranhões

2018-01-08

ranhuras ou cortes abaixo do plano de superfície do wafer, tendo uma relação comprimento-largura maior que 5 para 1. riscos são especificados pelo número de arranhões discretos vezes o comprimento total em diâmetro fracionário.

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