dispositivos e circuitos eletrônicos de semicondutores à base de carboneto de silício (sic) estão atualmente sendo desenvolvidos

para uso em condições de alta temperatura, alta potência e alta radiação sob as quais os semicondutores convencionais

não pode executar adequadamente. a capacidade do carboneto de silício para funcionar sob tais condições extremas

Espera-se que permita melhorias significativas para uma ampla variedade de aplicativos e sistemas.

estes variam de comutação de alta voltagem muito melhorada para economia de energia em energia elétrica pública

Drives de distribuição e motor elétrico para eletrônica de microondas mais potente para radar e comunicações

a sensores e controles para aeronaves a jato mais limpas e de combustível mais limpo

motores. na área particular dos dispositivos de potência, as avaliações teóricas indicaram que

retificadores de diodo e mosfet de potência operariam em faixas de tensão e temperatura mais altas,

características de comutação superiores, e ainda ter tamanhos de matriz quase 20 vezes menores do que correspondentemente

dispositivos baseados em silício. no entanto, essas tremendas vantagens teóricas ainda não foram amplamente

realizado em dispositivos sic disponíveis comercialmente, principalmente devido ao fato de que sic é relativamente imaturo

tecnologias de crescimento de cristais e fabricação de dispositivos ainda não estão suficientemente desenvolvidas para o grau requerido

para incorporação confiável na maioria dos sistemas eletrônicos.

este capítulo analisa brevemente a tecnologia eletrônica de semicondutores sic. em particular, as diferenças

(bom e ruim) entre a tecnologia sic electronics e a conhecida tecnologia silício vlsi

estão destacados. benefícios projetados de desempenho da eletrônica sic são destacados por vários grandes escala

aplicações. principais problemas de crescimento de cristal e fabricação de dispositivos que atualmente limitam o desempenho e

capacidade de alta temperatura e alta potência sic eletrônica são identificados.