Um epirreator vertical de parede quente que permite simultaneamente alcançar uma alta taxa de crescimento e uniformidade de grandes áreas foi desenvolvido. Uma taxa de crescimento máxima de 250 µm / h é alcançada com uma morfologia espelhada a 1650 ° C. Sob uma modificação epi-reator configuração, uma uniformidade de espessura de 1,1% e uma uniformidade de dopagem de 6,7% para uma área de 65 mm de raio são alcançados, mantendo uma alta taxa de crescimento de 79 µm / h. Uma baixa concentração de dopagem de ~ 1 × 1013 cm-3 é obtida para uma área de 50 mm de raio. O espectro de fotoluminescência a baixa temperatura (LTPL) mostra a predominância de picos de excitons livres com apenas alguns picos relacionados com impurezas e o pico L1 abaixo do limite de detecção. A medição da espectroscopia transiente de nível profundo (DLTS) para uma epilayer crescida a 80 µm / h mostra baixas concentrações de armadilha de Z1 / 2: 1,2 × 1012 e EH6 / 7: 6,3 × 1011 cm-3. UMA Epilayer de 280 µm de espessura com uma rugosidade RMS de 0,2 nm e uma vida útil da portadora de ~ 1 µs é obtida.

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