apresentamos um novo processo para integrar germânio com bolachas de silício sobre isolante (soi). o germânio é implantado em soi que é então oxidado, aprisionando o germânio entre as duas camadas de óxido (o óxido crescido e o óxido enterrado). com o controle cuidadoso das condições de implantação e oxidação, este processo cria uma camada fina (experimentos atuais indicam até 20-30nm) de germânio...
xiamen powerway avançado material co., ltd., um dos principais fornecedores de epi serviço para gaas laser baseado wafers crescimento e outros produtos e serviços relacionados anunciou a nova disponibilidade de tamanho 3 \"é a produção em massa em 2017. este novo produto representa um natural adição à Pam-Xiamen linha de produtos. dr. Shaka, disse: \"Temos o prazer de oferecer aos nossos clientes ...
xiamen powerway avançado materialco., ltd., um dos principais fornecedores de estrutura epitaxial diodo laser e outrosprodutos e serviços relacionados anunciaram a nova disponibilidade do tamanho 3 ” está em produção em massa em 2017. este novo produto representa um naturaladição à Pam-Xiamen linha de produtos. dr. Shaka, disse: \"estamos satisfeitos poroferecer estrutura epitaxial diodo lase...
As matrizes de panquecas de bem-ordenados pb (zr0.2ti0.8) o3 nanodiscs e nanorings foram fabricados em toda a área (10 mm × 10 mm) do eletrodo inferior srruo3 em um substrato monocristalino srtio3 usando a litografia de interferência a laser (lil) processo combinado com deposição a laser pulsada. a forma e o tamanho das nanoestruturas foram controlados pela quantidade de pzt depositada através dos...
Neste artigo, analisamos os desenvolvimentos da produção de bolachas não-polares (isto é, m-plano e a-plano) e semi-polares (isto é, (20,1)) por meio do método amototermico. O método de crescimento e os resultados de polimento são descritos. Conseguimos produzir bolachas não-semi-polares de 26 mm x 26 mm. estas bolachas possuem excelentes propriedades estruturais e ópticas, com densidade de desloc...
pam-xiamen desenvolve lingotes de cristal único de antimonido de gálio (gasb) de alta qualidade. Nós tambem rodamos as bolachas de gás e de corte cortadas, colhidas e polidas e podemos fornecer uma qualidade de superfície epi-ready. o cristal de gás é um composto formado por 6n elemento puro de ga e sb e é cultivado por meio de método czochralski (lec) encapsulado líquido com epd \u0026 lt; 1000 c...
uma camada de cobertura de grafite foi avaliada para proteger a superfície de bolachas epitaxiais 4h-sic com 4 e 7 implantadas e implantadas seletivamente durante o recozimento pós-implantação. O fotorresistante az-5214e foi centrifugado e cozido em vácuo a temperaturas variando de 750 a 850 ° c para formar um revestimento contínuo em superfícies sic planar e mesa com características de até 2 μm d...
na última década, os compostos iii-n atraíram muito interesse devido às suas aplicações em optoelectrônica azul, violeta e ultravioleta. A maioria dos dispositivos e pesquisas utilizam safira como substrato para epitaxia de nitretos. no entanto, essas epi-estruturas contêm uma densidade de dislocação muito alta induzida pelo desajuste de rede de 16% entre gan e safira. Em nosso laboratório, cultiv...
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