Nós apresentamos um método sem contato para a determinação do tempo de resposta térmica de sensores de temperatura embutidos em wafers. Neste método, uma lâmpada de flash ilumina um ponto na bolacha em pulsos periódicos; o ponto está no lado oposto do sensor em teste. A constante de tempo térmica do sensor é então obtida a partir da medição de sua resposta temporal, juntamente com um modelo teórico de fluxos de calor para o sensor e lateralmente dentro do wafer. Dados experimentais em ambos os termômetros de resistência de platina (PRTs) e em termopares silício bolachas mostram boa concordância com os modelos de transferência de calor.

Valores do tempo de resposta térmica para uma ampla gama de parâmetros experimentais concordam dentro de desvios-padrão de 8% (PRTs) e 20% (termopares), demonstrando a autoconsistência de nossos resultados. O método é diretamente aplicável para determinar as propriedades térmicas de sensores usados ​​em wafers de silício instrumentados. Antecipamos que o método terá uso no desenvolvimento de novos métodos de fixação de sensores, na verificação da conexão correta dos sensores durante a produção e na confirmação de que a conexão térmica não se degradou com a idade ou o ciclo térmico. Para simplificar a aplicação do método, produzimos uma tabela de quantidades relevantes calculadas para serem usadas na relação do sinal medido com o tempo de resposta térmica.

fonte: iopscience

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