As características de laser dependentes de temperatura de ligação de diodo laser de GaInAsP de 1,5 µm (LD) cultivadas em um Substrato InP ou Substrato Si foram obtidos com sucesso. Nós fabricamos o InP substrato ou substrato de Si utilizando uma técnica de ligação direta de pastilhas hidrofílicas a temperaturas de ligação de 350, 400 e 450 ° C, e depositou GaInAsP ou Camadas de heteroestructure dupla InP sobre este substrato de InP / Si. As condições da superfície, análise de difração de raios X (XRD), espectros de fotoluminescência (PL) e características elétricas após o crescimento foram comparadas a estas temperaturas de ligação. Nenhuma diferença significativa foi confirmada na análise de difração de raios X e nos espectros de PL a estas temperaturas de ligação. Nós percebemos a temperatura ambiente do GaInAsP LD no substrato de InP / Si ligado a 350 e 400 ° C. As densidades de corrente limiar foram 4,65 kA / cm2 a 350 e 4,38 kA / cm2 a 400. A resistência elétrica foi encontrada para aumentar com a temperatura de recozimento.

Fonte: IOPscience

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