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A tecnologia de colagem direta de wafer é capaz de integrar duas wafers suaves e, portanto, pode ser usada na fabricação de células solares de multijunções iii – v com incompatibilidade de treliça. a fim de interconectar-se monoliticamente entre as subcélulas gainp / gaas e ingaasp / ingaas, a heterojunção gaas / inp ligada deve ser uma junção ôhmica altamente condutora ou uma junção de túnel.

três tipos de interfaces de ligação foram projetados ajustando o tipo de condução e elementos de dopagem de Gaas e inp . as propriedades elétricas de p-gaas (zn dopado) / n-inp (si dopado), p-gaas (c dopado) / n-inp (si dopado) e n-gaas (si dopado) / n-inp (si dopado) ) as heterojunções ligadas foram analisadas a partir das características i – v. o processo de colagem de wafer foi investigado melhorando a qualidade da superfície da amostra e otimizando os parâmetros de ligação, tais como temperatura de ligação, pressão de ligação, tempo de ligação e assim por diante. finalmente, as células solares de 4 junções gainp / gaas / ingaasp / ingaas foram preparadas por uma técnica de colagem direta com a alta eficiência de 34,14% na condição am0 (1 sol).

fonte: iopscience

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