Para realizar o carboneto de silício de alto desempenho ( SiC ) dispositivos de potência, contatos ôhmicos de baixa resistência ao SiC tipo-p devem ser desenvolvidos. Para reduzir a resistência do contato ôhmico, é necessário reduzir a altura da barreira nas interfaces metal / SiC ou aumentar a concentração de dopagem nos substratos de SiC. Como a redução da altura da barreira é extremamente difícil, o aumento da concentração de doping em 4H-SiC por uma técnica de implante de íons foi desafiada. Os metais Ti / Al e Ni / Ti / Al (onde um sinal "/" indica a sequência de deposição) foram depositados nos substratos de SiC implantados com iões Al. Comparando as resistências de contato experimentais e teóricas, concluiu-se que o mecanismo de transporte de corrente através das interfaces metal / SiC foi a emissão de campo termiônico e a altura da barreira foi determinada como ~ 0,4 eV. Embora a concentração do orifício tenha aumentado com o aumento da concentração de dopagem Al em 4H-SiC, a altura da barreira nas interfaces metal / SiC aumentou devido a alta densidade de loops de deslocamento observados nas camadas de SiC implantadas por microscopia eletrônica de transmissão. Os experimentos atuais sugeriram que os contatos ôhmicos de baixa resistência seriam formados quando uma técnica para eliminar os defeitos cristalinos formados nos substratos 4H-SiC após a implantação iônica foi desenvolvida.

Fonte: IOPscience

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