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Ingan bolacha sic Bolacha epitaxial 4h-sic epitaxia gan substrato de gan bolachas epitaxiais substrato de gás estrutura epitaxial do diodo de laser bolacha de germânio nitreto de gálio

  • células solares de quatro junções de ligação direta *

    2018-Jun-19

    www.semiconductorwafers.net A tecnologia de colagem direta de wafer é capaz de integrar duas wafers suaves e, portanto, pode ser usada na fabricação de células solares de multijunções iii – v com incompatibilidade de treliça. a fim de interconectar-se monoliticamente entre as subcélulas gainp / gaas e ingaasp / ingaas, a heterojunção gaas / inp ligada deve ser uma junção ôhmica altamente condutora...

    gainp on gaas Gaas inp
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