pam-xiamen desenvolve lingotes de cristal único de antimonido de gálio (gasb) de alta qualidade. Nós tambem rodamos as bolachas de gás e de corte cortadas, colhidas e polidas e podemos fornecer uma qualidade de superfície epi-ready. o cristal de gás é um composto formado por 6n elemento puro de ga e sb e é cultivado por meio de método czochralski (lec) encapsulado líquido com epd \u0026 lt; 1000 c...
investigamos os níveis de energia de transição dos defeitos de vacância em nitreto de gálio por meio de uma abordagem de teoria do funcional de densidade híbrida (dft). Nós mostramos que, em contraste com as previsões de um estudo recente sobre o nível de dft puramente local, a inclusão de triagem de troca estabiliza o estado de carga triplamente positiva da vacância de nitrogênio para energias fe...
lasers de diodo direto têm algumas das características mais atraentes de qualquer laser. eles são muito eficientes, compactos, de comprimento de onda versáteis, de baixo custo e altamente confiáveis. no entanto, a utilização total de lasers de diodo diretos ainda não foi realizada. a má qualidade de laser de diodo feixe em si, afetam diretamente suas faixas de aplicação, a fim de melhor utilização...
os recentes avanços no crescimento de filmes epitaxiais sic em si são analisados. Os métodos clássicos básicos usados atualmente para o crescimento de filmes sic são discutidos e suas vantagens e desvantagens são exploradas. a idéia básica e o fundo teórico para um novo método da síntese de filmes sic epitaxiais em si são dados. Será mostrado que o novo método é significativamente diferente das ...
ainda é um grande desafio para dispositivos baseados em semicondutores obterem um grande efeito de magnetorresistência (mr) sob um campo magnético baixo à temperatura ambiente. Neste trabalho, os efeitos de fotoinduzida em diferentes intensidades de iluminação à temperatura ambiente são investigados arsenieto de gálio semi-isolante ( si-gaas ag / si-gaas / ag baseado em o dispositivo é submetido à...
o processo para diminuir a densidade de deslocamento em 3 polegadas dopado bolachas de inp é descrito. o processo de crescimento de cristais é um czochralsky (lec) encapsulado em um líquido convencional, mas escudos térmicos foram adicionados para diminuir o gradiente térmico no cristal em crescimento. A forma desses escudos foi otimizada com a ajuda de simulações numéricas de transferência de cal...
subestruturas de sub-monocamada altamente tensionadas e tensionadas gasb foram cultivadas por epitaxia por feixe molecular e estudadas por microscopia de tunelamento por ultra-vácuo. quatro diferentes taxas de cobertura de nanoestruturas ge em gasb são alcançadas e investigadas. Verifica-se que o crescimento do ge no gasb segue o modo de crescimento 2d. a estrutura cristalina da sub-monocamada ge ...
a densidade e intensidade de dispersão de luz dos precipitados de oxigênio silício cz os cristais são medidos por tomografia por dispersão de luz. os dados numéricos esclarecidos através das medições são discutidos em relação à quantidade de oxigênio precipitado. os resultados obtidos aqui correspondem bem à análise teórica de que os precipitados de oxigênio causam a dispersão da luz. as informaçõ...
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