pam-xiamen desenvolve lingotes de cristal único de antimonido de gálio (gasb) de alta qualidade.

Nós tambem rodamos as bolachas de gás e de corte cortadas, colhidas e polidas e podemos fornecer uma qualidade de superfície epi-ready.

o cristal de gás é um composto formado por 6n elemento puro de ga e sb e é cultivado por meio de método czochralski (lec) encapsulado líquido com epd \u0026 lt; 1000 cm -3. O cristal de gás tem alta uniformidade de parâmetros elétricos e baixa densidade de defeito, adequado para o crescimento epitaxial mbe ou mocvd.

Nós temos produtos de gás gasoso \"epi ready\" com ampla escolha na orientação exata ou fora de posição, baixa ou alta concentração dopada e bom acabamento superficial. entre em contato conosco para obter mais informações sobre o produto.

1) bolacha de gás de 2 \", 3\"

orientação: (100) ± 0,5 °

espessura (μm): 500 ± 25; 600 ± 25

tipo / dopante: p / não dobrado; p / si; p / zn

nc (cm-3) :( 1 ~ 2) e17

mobilidade (cm2 / v.s): 600 ~ 700

método de crescimento: cz

polimento: ssp

2) bolacha de 2 \"

orientação: (100) ± 0,5 °

espessura (μm): 500 ± 25; 600 ± 25

tipo / dopante: n / não doado; p / te

nc (cm-3) :( 1 ~ 5) e17

mobilidade (cm2 / v.s): 2500 ~ 3500

método de crescimento: lec

polimento: ssp

3) bolacha de gás de 2 \"

orientação: (111) a ± 0,5 °

espessura (μm): 500 ± 25

tipo / dopante: n / te; p / zn

nc (cm-3) :( 1 ~ 5) e17

mobilidade (cm2 / v.s): 2500 ~ 3500; 200 ~ 500

método de crescimento: lec

polimento: ssp

4) bolacha de 2 \"

orientação: (111) b ± 0,5 °

espessura (μm): 500 ± 25; 450 ± 25

tipo / dopante: n / te; p / zn

nc (cm-3) :( 1 ~ 5) e17

mobilidade (cm2 / v.s): 2500 ~ 3500; 200 ~ 500

método de crescimento: lec

polimento: ssp

5) bolacha de 2 \"

orientação: (111) b 2deg.off

espessura (μm): 500 ± 25

tipo / dopante: n / te; p / zn

nc (cm-3) :( 1 ~ 5) e17

mobilidade (cm2 / v.s): 2500 ~ 3500; 200 ~ 500

método de crescimento: lec

polimento: ssp

produtos relativos:

na bolacha

bolacha insípida

bolacha inp

wafer de gaas

bolacha de gás

bolacha

O material de gás apresenta propriedades interessantes para dispositivos termopotovoltaicos de junção única (tpv). gasb: os tecidos simples crescidos com czochralski (cz) ou modificados czo-chralski (mo-cz) são apresentados e discute o problema da homogeneidade da te. uma vez que a mobilidade do transportador é um dos pontos-chave para o cristal em massa, as medidas do salão são realizadas. Apresentamos aqui alguns desenvolvimentos complementares baseados no ponto de vista do processamento de material: o crescimento de cristais em massa, a preparação de bolacha e a gravação de bolacha. as etapas subseqüentes depois disso estão relacionadas à elaboração da junção p / no r n / p. São apresentados alguns resultados obtidos para diferentes abordagens de elaboração de camada fina. então, a partir do processo de difusão de fase de vapor simples ou do processo de epitaxia de fase líquida até o processo de deposição de vapor químico orgânico de metal, relatamos alguma especificidade do material. doi: 10.1115 / 1.2734570

Para mais informações, visite nosso site: http://www.semiconductorwafers.net ,

envie-nos e-mail para angel.ye@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com .