Melhoramos a eficiência de antenas fotocondutoras (PCAs) usando GaAs cultivados em baixa temperatura (LT-GaAs). Descobrimos que as propriedades físicas das camadas fotocondutoras de LT-GaAs afetam muito as características de geração e detecção de ondas terahertz (THz). Na geração de THz, a alta mobilidade de portadores fotoexcitados e a presença de alguns clusters de As nos LT-GaAs são dois fatores importantes. Na detecção, vida útil curta do portador e ausência de uma estrutura policristalina no LT-GaAssão fatores significativos. Ao otimizar essas propriedades físicas, melhoramos a faixa dinâmica total de geração e detecção de THz em 15 dB em relação à obtida por PCAs convencionais disponíveis comercialmente. Além disso, substituímos o substrato GaAs semi-isolante (SI-GaAs) por um substrato de Si, que possui baixa absorção na região de THz. Propusemos uma nova ideia de incluir uma camada tampão Al0.5Ga0.5As altamente isolante no substrato de Si. Finalmente, confirmamos a viabilidade de fabricação de PCAs usando substratos de Si.

Fonte: IOPscience

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